1.一种石墨烯花的形成方法，包括：
将碳氢气体与辅助气体导入变压式耦合等离子体设备；以及
以该变压式耦合等离子体设备施加中频电磁波至该碳氢气体与该辅助气体，使该碳氢气体解离后再结合以形成石墨烯花，其中该碳氢气体的解离率大于95％，其中该中频电磁波的频率为100kHz至3MHz。
2.如权利要求1所述的石墨烯花的形成方法，其中该碳氢气体的流量为0.05slm至25slm。
3.如权利要求1所述的石墨烯花的形成方法，其中该辅助气体的流速为1slm至50slm。
4.如权利要求1所述的石墨烯花的形成方法，其中该碳氢气体与该辅助气体的流量比为1:20至1:2。
5.如权利要求1所述的石墨烯花的形成方法，其中该碳氢气体包括甲烷、乙烯、乙炔或上述的组合。
6.如权利要求1所述的石墨烯花的形成方法，其中该辅助气体包括氩气、氦气、氮气或上述的组合。
7.如权利要求1所述的石墨烯花的形成方法，其中该碳氢气体与该辅助气体于该变压式耦合等离子体设备的压力为0.1托至20托。
8.如权利要求1所述的石墨烯花的形成方法，其中施加该中频电磁波的步骤的功率大于1kW。
9.一种石墨烯花，系由权利要求1所述的石墨烯花的形成方法所形成，包括：
以非平行的方式互相交错的多个石墨烯片，且该石墨烯花的轮廓不具有平坦的表面。
10.如权利要求9所述的石墨烯花，其中该石墨烯花的粒径为10nm至5mm。
11.如权利要求9所述的石墨烯花，其中该石墨烯片为曲面结构或不规则的皱折结构。
12.一种复合材料，包括：
100重量份的金属粉末；以及
0.5至50重量份的由权利要求1所述的石墨烯花的形成方法所形成的石墨烯花，
其中该石墨烯花，包括以非平行的方式互相交错的多个石墨烯片，且该石墨烯花的轮廓不具有平坦的表面。
13.如权利要求12所述的复合材料，其中该金属粉末的粒径为5nm至50μm。
14.如权利要求12所述的复合材料，其中该石墨烯花的粒径为10nm至50μm。
15.如权利要求12所述的复合材料，其中该石墨烯片为曲面结构或不规则的皱折结构。
16.如权利要求12所述的复合材料，其中该复合材料的散热系数比该金属粉末的散热系数高。
17.一种复合材料，包括:
100重量份的高分子粉末或液体；以及
0.5至50重量份的由权利要求1所述的石墨烯花的形成方法所形成的石墨烯花，
其中该石墨烯花，包括以非平行的方式互相交错的多个石墨烯片，且该石墨烯花的轮廓不具有平坦的表面。
18.如权利要求17所述的复合材料，其中该高分子粉末的粒径为5nm至50μm。
19.如权利要求17所述的复合材料，其中该石墨烯花的粒径为10nm至50μm。
20.如权利要求17所述的复合材料，其中该石墨烯片为曲面结构或不规则的皱折结构。
21.如权利要求17所述的复合材料，其中该复合材料的散热系数比该高分子粉末或液体的散热系数高。