1.一种控制装置，用于控制熔体内的热流，包括：
坩埚，用以容纳所述熔体，所述熔体具有暴露面；
加热器，配置于所述坩埚的第一侧的下方且用以提供热穿过所述熔体至所述暴露面；以及
散热屏障总成，包括至少一散热屏障，所述至少一散热屏障配置于所述坩埚内，并在所述熔体中定义隔离区与外围区。
2.根据权利要求1所述的控制装置，其中所述至少一散热屏障是由熔硅构成。
3.根据权利要求1所述的控制装置，其中所述熔体是由硅构成，而其中流过所述隔离区而至所述暴露面的所述热的第一部份具有第一热流密度，从所述隔离区流过所述至少一散热屏障至所述外围区的所述热的第二部分具有第二热流密度，所述第一热流密度大于所述第二热流密度。
4.根据权利要求1所述的控制装置，其中所述散热屏障总成包括成角度的第一散热屏障与第二散热屏障，其中所述隔离区朝向所述暴露面变窄。
5.根据权利要求1所述的控制装置，其中所述散热屏障总成的第一壁与所述散热屏障总成的第二壁互相平行，且垂直所述暴露面安排。
6.根据权利要求5所述的控制装置，其中所述加热器安排以产生穿过所述隔离区而朝向所述暴露面的均匀热流。
7.根据权利要求1所述的控制装置，还包括坩埚架，配置于所述加热器与坩埚之间且具有至少一隔绝间隙物，安排以产生至少两个加热区而提供热至所述熔体。
8.根据权利要求7所述的控制装置，其中所述坩埚架是热增强器。
9.根据权利要求1所述的控制装置，
其中所述散热屏障总成包括第一散热屏障与第二散热屏障，配置于所述坩埚的表面区且以隔离区宽度彼此分离，
其中所述加热器用以产生热流通过加热器宽度进入所述隔离区，所述加热器宽度大于所述隔离区宽度，
其中在所述表面区的所述热流均匀通过所述第一散热屏障与所述第二散热屏障之间的所述隔离区。
10.根据权利要求1所述的控制装置，其中所述散热屏障总成的顶部定义的在所述熔体内的平面与所述暴露面的距离介于1至5毫米。
11.一种处理方法，用以处理熔体，包括：
提供所述熔体于坩埚，所述熔体具有暴露面；
加热所述坩埚相对于所述暴露面的第一侧，以提供热通过所述熔体而至所述暴露面；以及
提供散热屏障总成于所述坩埚内，所述散热屏障总成包括至少一散热屏障且在所述熔体中定义隔离区与外围区，其中流过所述隔离区流而至所述暴露面的所述热的第一部份具有第一热流密度，从所述隔离区流过所述至少一散热屏障至所述外围区的所述热的第二部分具有第二热流密度，第一热流密度大于第二热流密度。
12.根据权利要求11所述的处理方法，还包括提供所述散热屏障总成为具成角度的第一散热屏障与第二散热屏障，其中所述隔离区朝向所述暴露面变窄。
13.根据权利要求11所述的处理方法，其中所述散热屏障总成的第一壁与所述散热屏障总成的第二壁互相平行，且垂直所述暴露面安排。
14.根据权利要求12所述的处理方法，其中所述熔体是硅熔体，其中所述隔离区的顶部的热流为30至40瓦/平方厘米。
15.根据权利要求13所述的处理方法，还包括安排加热器以产生均匀热流穿过所述隔离区朝向所述暴露面。