1.一种β－Ga2O3系单晶衬底，由β－Ga2O3系单晶构成，
该β－Ga2O3系单晶衬底的主面是平行于所述β－Ga2O3系单晶的b轴的面；
通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下；
在如下情形时，所述Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。
2.一种β－Ga2O3系单晶衬底，由β－Ga2O3系单晶构成，
该β－Ga2O3系单晶衬底的主面是与所述β－Ga2O3系单晶的b轴平行的面；
通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的α的最大值为0.141以下；
在如下情形时，所述α是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的绝对值的平均值，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。
3.根据权利要求1所述的β－Ga2O3系单晶衬底，所述任意直线上的Δω中，与所述β－Ga2O3系单晶的b轴垂直的直线上的Δω最大。
4.根据权利要求2所述的β－Ga2O3系单晶衬底，所述任意直线上的α中，与所述β－Ga2O3系单晶的b轴垂直的直线上的α最大。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的β－Ga2O3系单晶衬底，所述β－Ga2O3系单晶衬底包含掺杂剂。
6.根据权利要求5所述的β－Ga2O3系单晶衬底，所述掺杂剂是IV族元素。
7.根据权利要求6所述的β－Ga2O3系单晶衬底，所述掺杂剂是Sn或Si。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的β－Ga2O3系单晶衬底，所述主面为(－201)面、(101)面、或(001)面。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的β－Ga2O3系单晶衬底，所述β－Ga2O3系单晶衬底从在b轴方向培育的平板状的β－Ga2O3系单晶截出。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的β－Ga2O3系单晶衬底，具有不包含双晶面、或者不包含与双晶面和所述主面的交线垂直的方向的最大宽度为2英寸以上的双晶面的区域。