纳米级氧化铟锡粉体的共沉淀制备方法与流程

技术总结
本发明涉及一种共沉淀法制备纳米级氧化铟锡粉体(ITO)的方法。采用本发明的方法制得的ITO粉体适用于制备高品质的ITO靶材。本发明的共沉淀制备方法，采用缓冲溶液作为前躯体的生长环境，在反应过程中，溶液pH值基本不变，前躯体生长环境稳定，粉体分散效果更好，制得的粉体呈单相，颗粒度均匀，电阻率低。

技术研发人员：刘家祥;张雪利;李敏;雷文
受保护的技术使用者：北京化工大学
文档号码：201610064201
技术研发日：2016.01.29
技术公布日：2017.11.28