1.SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的下端面的晶种基板与配置在坩埚内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，
所述晶种基板的顶面具有与所述晶种保持轴的所述下端面的整个面相接而被保持的中央部、和不与所述晶种保持轴的所述下端面相接的外周部，
该制造方法包括：
在所述晶种基板的所述顶面配置碳片材，使得覆盖所述中央部和所述外周部中的至少所述外周部。
2.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，
所述碳片材具有与所述晶种基板的所述顶面的外形相同的外形或大于所述晶种基板的所述顶面的外形的外形，该制造方法包括：
在所述晶种基板的所述顶面配置所述碳片材，使得覆盖所述晶种基板的所述顶面的所述中央部及所述外周部的全部，和
使配置有所述碳片材的所述晶种基板的所述中央部保持于所述晶种保持轴的所述下端面。
3.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，
所述碳片材具有与所述晶体生长的SiC单晶的生长面的外形相同的外形或大于所述晶体生长的SiC单晶的生长面的外形的外形，该制造方法包括：
在所述晶种基板的所述顶面配置所述碳片材，使得覆盖所述晶种基板的所述顶面的所述中央部及所述外周部的全部，且从铅直方向上方观察时，覆盖所述晶体生长的SiC单晶的生长面的外形的全部，和
使配置有所述碳片材的所述晶种基板的所述中央部保持于所述晶种保持轴的所述下端面。
4.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其包括：
使所述晶种基板的所述中央部保持于所述晶种保持轴的所述下端面，和
配置所述碳片材，使得覆盖保持于所述下端面的所述晶种基板的所述顶面的所述外周部的至少一部分。
5.权利要求1～4任一项所述的SiC单晶的制造方法，其中，
所述晶种基板具有圆盘形状，所述晶种基板的直径为30mm以上，
所述晶种保持轴具有圆柱形状，所述晶种保持轴的直径为25mm以下。
6.SiC单晶，其不含多晶、除侧面端部外不含裂纹，具有30mm以上的直径，并且通过X射线衍射法测定时的晶体取向的偏差为0.22°以下/50mm。
7.权利要求6所述的SiC单晶，其中，侧面端部也不含裂纹。