高热导性氮化硅烧结体、使用了其的氮化硅基板及氮化硅电路基板以及半导体装置的制作方法

文档序号:11284021阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种氮化硅烧结体,其特征在于,其是热导率为50W/m·K以上、3点弯曲强度为600MPa以上的高热导性氮化硅烧结体,其中,在对氮化硅烧结体的任意的截面进行XRD分析时,在将于衍射角29.3±0.2°、29.7±0.2°、27.0±0.2°、36.1±0.2°下检测到的最强峰值强度设为I29.3°、I29.7°、I27.0°、I36.1°时,峰值比(I29.3°)/(I27.0°+I36.1°)满足0.01~0.08,并且,峰值比(I29.7°)/(I27.0°+I36.1°)满足0.02~0.16。根据上述构成,能够提供热导率高达50W/m·K以上、绝缘性及强度优异的氮化硅烧结体。

技术研发人员:青木克之
受保护的技术使用者:株式会社东芝;东芝高新材料公司
技术研发日:2016.01.19
技术公布日:2017.09.26
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