技术特征：
技术总结
本发明提供一种利用升华再结晶法的SiC单晶的制造方法，其更加正确地检测出坩埚内的原料的加热状态，可以在控制生长条件的同时制造SiC单晶。所述方法的特征在于，为了得到在感应加热线圈上流通的高频电流，其具有：将交流电流转换成直流电流的转换器装置和将从转换器装置输出的直流电流进行高频转换而得到高频电流的逆变器装置，预先把握下述直流等效电阻值(DCV/DCI)的经时变化与在生长后的碳化硅单晶上形成的微管密度的关系，上述直流等效电阻值(DCV/DCI)通过在碳化硅单晶生长时的由所述转换器装置转换的直流电压值(DCV)和直流电流值(DCI)来算出，基于所述预先把握的直流等效电阻值与微管密度的关系，调节所述转换器装置的DCV或者DCI中的至少一者。
技术研发人员：中林正史;小岛清;出合博之;下村光太;永畑幸雄
受保护的技术使用者：新日铁住金株式会社;新日铁住金高新材料株式会社
技术研发日：2016.03.18
技术公布日：2017.09.26