技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置及固定方法，在氮化铝粉源与坩埚顶盖之间设置可拆卸的生长平台，使籽晶或衬底材料通过自身重力或机械方式加以固定，通过设置第一间隙和第二间隙，能够同时在籽晶或衬底的两面进行长晶，长晶效率较高，有效的解决了籽晶固定问题，避免了籽晶粘结带来的各种不利因素，为氮化铝同质外延生长提供有利条件；使籽晶或衬底从低温区往高温区靠近，氮化铝粉源分解产生的气相物质在高温区具有很好的迁移能力，有利于同质/异质外延生长进一步扩大晶体尺寸；籽晶表面可完全避免白色陶瓷层的形成，有利于发挥籽晶的单晶诱导作用，该方法得到的氮化铝单晶具有极高的单晶质量，且具有较高的晶体生长速率。
技术研发人员：吴亮;王智昊;王琦琨;贺广东;雷丹
受保护的技术使用者：苏州奥趋光电技术有限公司
技术研发日：2017.08.21
技术公布日：2018.02.13