TFT基板减薄方法与流程

本发明涉及指纹识别技术领域，特别是涉及一种tft基板减薄方法。

背景技术：

超声波指纹识别技术是利用超声波具有穿透材料的能力，且随材料的不同产生大小不同的回波(即超声波到达不同材质表面时，被反射回的超声波能量及历经的路程不同)而进行指纹识别的。因此，利用皮肤与空气对于声波阻抗的差异，就可以区分指纹嵴与峪所在的位置。超声波指纹识别技术可以对指纹进行更深入的分析采样，甚至能渗透到皮肤表面之下识别出指纹独特的三维特征。而且，由于超声波具有一定穿透性，因此在手指有少量污垢或潮湿的情况下仍能工作，可以穿透玻璃、铝、不锈钢、蓝宝石等设备进行识别。因此，超声波指纹识别技术越来越受到人们的重视。

超声波指纹识别模组如果要应用于体积较小的设备(例如手机)中，就要考虑超声波指纹识别模组的体积是否符合设备的需求。因此，如何提供一种能够减小超声波指纹识别模组体积的工艺是亟待解决的问题。

技术实现要素：

基于此，有必要针对如何提供一种能够减小超声波指纹识别模组体积的工艺的问题，提供一种tft基板减薄方法。

一种tft基板减薄方法，包括：

提供tft基板；

对所述tft基板的玻璃基板进行蚀刻；

判断所述tft基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作。

在其中一个实施例中，所述对所述tft基板的玻璃基板进行蚀刻的步骤为：

对所述tft基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻。具体地，所述化学物质为氢氟酸。

由于利用化学物质进行蚀刻，无需对tft基板进行物理撞击等操作，从而可以避免对tft基板的电路造成损坏。

在其中一个实施例中，所述对所述tft基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻的步骤包括：

在所述tft基板的电路表面覆盖一层保护膜；所述保护膜用于避免所述电路被所述化学物质蚀刻；

将覆盖有所述保护膜的tft基板放置于盛有所述化学物质的装置中，以使得所述玻璃基板被所述化学物质蚀刻；

并且，在判断所述tft基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作之后，所述方法还包括：

将所述保护膜去除。上述蚀刻方法操作简单，而且具有较快的蚀刻速度。

在其中一个实施例中，所述保护膜为uv膜。

在其中一个实施例中，在所述tft基板的电路表面覆盖一层保护膜的步骤之前，所述对所述tft基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻的步骤还包括：

在所述tft基板的电路表面的有效显示区域贴一层静电纸。贴上静电纸后，可以防止在蚀刻完成去除uv膜时，出现uv膜残留的情况。

在其中一个实施例中，所述将所述保护膜去除的步骤包括：

利用真空平台将蚀刻完成后的所述tft基板吸附起来，并使得所述保护膜裸露在外；

利用紫外线对所述保护膜进行照射，并在照射完成后将所述保护膜撕除。由于tft基板被减薄后，厚度很薄，因此利用真空平台吸附，可以避免tft基板发生破碎。

在其中一个实施例中，在所述将覆盖有所述保护膜的tft基板放置于盛有所述化学物质的装置中，以使得所述玻璃基板被所述化学物质蚀刻的步骤之前，所述对所述tft基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻的步骤还包括：

对覆盖有所述保护膜的tft基板进行脱泡处理，以去掉所述保护膜与所述tft基板之间的气泡。去掉保护膜与tft基板之间的气泡后，可以进一步提高保护膜在蚀刻过程中对电路的保护作用。

在其中一个实施例中，判断所述tft基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作的步骤包括：

利用长度测量工具实时检测所述tft基板的厚度；

根据所述长度测量工具测量的数据判断所述tft基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作。利用长度测量工具可以检测蚀刻的速率，如果发现蚀刻速率较慢，还可以采取适当的方式(例如增加化学物质的浓度)来提高蚀刻速率，从而提高tft基板的减薄效率。

在其中一个实施例中，在判断所述tft基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止所述蚀刻操作的步骤之后，所述方法还包括：

对减薄后的所述tft基板进行清洗，以去除残留在所述tft基板上的所述化学物质。

上述tft基板减薄方法中，在提供tft基板后，对tft基板的玻璃基板进行蚀刻，从而可以减小tft基板的厚度，并在判断tft基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止蚀刻操作。因此，该tft基板减薄方法可以减小tft基板的厚度，从而能够满足超声波指纹识别模组的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。

图1为一实施方式提供的tft基板减薄方法的流程图；

图2为图1所示实施方式的tft基板减薄方法的其中一个实施例的流程图；

图3为图2所示实施例的tft基板减薄方法中步骤s500的其中一种实施例的流程图；

图4为图1所示实施方式的tft基板减薄方法中步骤s300的其中一种实施例的流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

一实施方式提供了一种tft基板减薄方法，用于对tft基板进行减薄，以使得减薄后的tft基板可以应用于超声波指纹识别模组中。其中，超声波指纹识别模组能够利用超声波扫描用户的指纹，并对指纹进行识别。超声波指纹识别模组通常包括盖板、超声波传感器及与超声波传感器电连接的电路板。盖板覆盖于超声波传感器顶部，且盖板的顶面朝向接触对象。盖板起保护作用，从而可以提高超声波指纹识别模组的可靠性。盖板可以为能够被超声波穿透的材料，例如玻璃、陶瓷及复合材料等。超声波传感器的顶部朝向接触对象(接触对象例如为用户的手指)，且超声波传感器能够发射超声波，并能够检测经反射的超声波。超声波传感器例如包括tft基板、压电层及电极层。其中，压电层由压电材料构成。电极层由导电材料构成。在电极层被施加了来自电路板的高频电信号后压电层可以产生超声波，并且，压电层还可以将从接触对象处反射回来的超声波转换为电信号，该电信号再经薄膜晶体管像素阵列层经过相应的处理(例如放大)后传送至电路板。电路板用于向超声波传感器提供控制信号(例如向压电层发送高频电信号)，以使得超声波传感器可以发射超声波。另外，电路板还可以接收来自tft基板的电信号，以对指纹进行识别。

本实施方式提供的tft基板减薄方法包括以下内容，请参考图1。

步骤s100，提供tft基板。

tft基板包括玻璃基板及形成于玻璃基板之上的电路。电路例如包括多个由薄膜晶体管构成的像素驱动电路、多条数据线、多条扫描线、扫描驱动电路、数据驱动电路。其中，扫描驱动电路通过扫描线向各像素驱动电路发送扫描信号。数据驱动电路通过数据线向各像素驱动电路发送数据信号。

步骤s200，对tft基板的玻璃基板进行蚀刻。

其中，可以利用化学方法对玻璃基板进行蚀刻。另外，该步骤中不对tft基板上的电路进行蚀刻操作，以保证tft基板能够正常运行。因此，该步骤通过对tft基板的玻璃基板进行蚀刻，以减小玻璃基板的厚度，从而可以减小整个tft基板的厚度。

步骤s300，判断tft基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止蚀刻操作。

具体地，减薄完成后的tft基板的厚度例如为100μm。当步骤s300结束后，即可利用减薄后的tft基板来参与超声波指纹识别模组的制造。例如：在减薄后的tft基板上依次涂覆压电层、电极层，从而形成超声波传感器，直至最后形成整个超声波指纹识别模组。

综上所述，本实施方式提供的上述tft基板减薄方法，通过蚀刻tft基板的玻璃基板，可以将减小tft基板的厚度，从而满足超声波指纹识别模组的需求。

在其中一个实施例中，上述步骤s200为：对tft基板的玻璃基板利用化学物质进行蚀刻。例如：可以将tft基板的玻璃基板与能够腐蚀玻璃的化学物质接触，从而使得玻璃基板被腐蚀。具体地，化学物质例如氢氟酸(hf)或者其他能够腐蚀玻璃的化学物质。由于利用化学物质进行蚀刻，无需对tft基板进行物理撞击等操作，从而可以避免对tft基板的电路造成损坏。

具体地，上述步骤s200具体包括以下内容，请参考图2。

步骤s220，在tft基板的电路表面覆盖一层保护膜。该保护膜用来避免电路被化学物质蚀刻。

其中，在tft基板的电路表面覆盖一层保护膜，换言之，保护膜至少将tft基板上的电路部分全部覆盖，从而可以避免电路直接接触化学物质。

具体地，保护膜例如为uv(ultravioletrays，紫外光线)膜。uv膜在被uv光照射之前，粘度很大，但在被uv光照射之后，粘度会降低。

步骤s240，将覆盖有保护膜的tft基板放置于盛有化学物质的装置中，以使得tft基板的玻璃基板被化学物质蚀刻。

该步骤中，将覆盖有保护膜的tft基板放置于盛有化学物质的装置中后，玻璃基板即会与化学物质反应，从而使得玻璃基板被蚀刻，而tft基板上的电路由于覆盖有保护膜，因此不会与化学物质接触。当玻璃基板被蚀刻了一定厚度，使得整个tft基板的厚度已经可以满足超声波指纹识别模组的需求后，蚀刻过程即可结束，这时可以将tft基板从上述装置中取出。因此，上述蚀刻方法操作简单，而且具有较快的蚀刻速度。

具体地，可以用载具将覆盖有保护膜的tft基板放置于盛有化学物质的装置中。相应地，当蚀刻完毕后，同样用该载具将蚀刻完毕后的tft基板从装置中取出。可选地，载具的制造材料可以为铁氟龙材质或pvc(polyvinylchloride，聚氯乙烯)等耐防腐的材料。

进一步地，在上述tft基板减薄方法中，在步骤s300之后，还包括以下内容，请继续参考图2：

步骤s500，将保护膜去除。

当tft基板减薄完毕后，则将tft基板从上述装置中取出，并将保护膜去除，这时该tft基板即可应用于超声波指纹识别模组的制造过程中。

可以理解的是，步骤s200的具体实现方式不限于上述情况，只要对玻璃基板能够进行蚀刻即可，例如：也可以不将tft基板放置于盛有化学物质的装置中，而是通过机械装置将tft基板举起来，并使得tft基板的玻璃基板位于下方，再将盛有化学物质的装置放置于玻璃基板下方，并仅控制玻璃基板与化学物质接触以进行蚀刻。这种情况下，由于tft基板上的电路不会与化学物质接触，因此就无需再覆盖保护膜。

进一步地，在保护膜为uv膜的前提下，上述步骤s200的具体实现方法中，在步骤s220之前还包括以下步骤，请继续参考图2。

步骤s210，在tft基板的电路表面的有效显示区域贴一层静电纸。并且，在上述步骤s220执行完成后，静电纸位于tft基板与保护膜之间。

其中，有效显示区域即aa(ativearea)区域。可以理解的是，该步骤中至少在有效显示区域贴静电纸，意味着可以仅在有效显示区域贴静电纸，也可以在tft基板的整个电路表面都贴一层静电纸。贴上静电纸后，可以防止在蚀刻完成去除uv膜时，出现uv膜残留的情况。

另外，在执行步骤s220的过程中，在静电纸的上方覆盖保护膜，并且，如果tft基板的电路表面除了有效显示区域的其他区域没有贴静电纸，则直接在这些区域涂覆保护膜。

可以理解的是，也可以采取其他的方式来避免去除uv膜时出现残留的情况。

具体地，在保护膜为uv膜的前提下，上述步骤s500的具体实现方式包括以下内容，请参考图3。

步骤s510，利用真空平台将蚀刻完成后的tft基板吸附起来，并使得保护膜裸露在外。

其中，真空平台在吸附时，直接与tft基板的被蚀刻面(即被蚀刻后的玻璃基板)接触，从而可以使得与玻璃基板相对的uv膜位于下方并裸露在外。由于tft基板被减薄后，厚度很薄，因此利用真空平台吸附，可以避免tft基板发生破碎。

步骤s520，利用紫外线对保护膜进行照射，并在照射完成后将保护膜撕除。

由于步骤s510执行后，uv膜位于下方并裸露在外，因此，可以便于对uv膜进行照射。当uv膜受到紫外线照射后，粘度会降低，从而便于将uv膜从tft基板上撕除。

可以理解的是，上述步骤s500的具体实现方式不限于上述情况，例如如果保护膜采用其他类型的材料时，则根据该材料的性质选择相应适当的方式在蚀刻完成后将保护膜去除。

进一步地，上述步骤s200的具体实现方式中，在步骤s240之前还包括以下内容，请继续参考图2。

步骤s230，对覆盖有保护膜的tft基板进行脱泡处理，以去掉保护膜与tft基板之间的气泡。

去掉保护膜与tft基板之间的气泡后，可以进一步提高保护膜在蚀刻过程中对电路的保护作用。具体地，可以利用低温加压脱泡的方式来对覆盖有保护膜的tft基板进行脱泡处理。

具体地，上述步骤s300的具体实现方式可以包括以下内容，请参考图4。

步骤s310，利用长度测量工具实时检测tft基板的厚度。

其中，长度测量工具例如为螺旋测微器。利用长度测量工具可以检测蚀刻的速率。如果发现蚀刻速率较慢，还可以采取适当的方式(例如增加化学物质的浓度)来提高蚀刻速率，从而提高tft基板的减薄效率。

步骤s320，根据长度测量工具测量的数据判断tft基板的厚度减到适用于超声波指纹识别模组的厚度时，停止蚀刻操作。

可以理解的是，步骤s300的具体实现方式不限于上述情况，例如如果已知化学物质对玻璃基板的蚀刻速率，则可以根据蚀刻速率和tft基板适用于超声波指纹识别模组的厚度计算出所需蚀刻时间，这时在蚀刻过程中无需实时检测tft基板的厚度，而只需实时计算蚀刻过程经历的时间，一旦蚀刻过程经历的时间达到上述所需蚀刻时间，即可停止蚀刻操作，这时蚀刻完成后的tft基板的厚度同样满足需求。

进一步地，上述方法中，在步骤s300之后还包括以下内容，请继续参考图2：

步骤s400，对减薄后的tft基板进行清洗，以去除残留在tft基板上的化学物质。

具体地，可以利用载具将减薄后的tft基板放置在清洗房间内，将能够清洗掉化学物质的物质喷洒在tft基板上，以清洗掉残留在tft基板上的化学物质。例如：如果化学物质为氢氟酸，则可以用水进行清洗。

进一步地，在步骤s400执行完成后，还可以检验化学物质是否渗透到保护膜内。如果化学物质为氢氟酸，可以利用ph试纸进行检验。

可以理解的是，图2仅示出了一种实施例的tft基板减薄方法，但是tft基板减薄方法的具体实现方式并不限于这一种情况，上述各个步骤之间还可以有多种组合，例如：该tft基板减薄方法可以包括步骤s100、步骤s210、步骤s220、步骤s240、步骤s300、步骤s400、步骤s500；或者包括步骤s100、步骤s210、步骤s220、步骤s240、步骤s300、步骤s500；或者包括步骤s100、步骤s220、步骤s230、步骤s240、步骤s300、步骤s400、步骤s500；或者包括步骤s100、步骤s220、步骤s230、步骤s240、步骤s300、步骤s500；或者包括s100、步骤s200、步骤s300、步骤s400等。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。