技术特征：
技术总结
本发明提供一种热屏及单晶硅生长炉结构，所述热屏的屏底包含上层、下层及侧壁，所述侧壁连接于所述上层与所述下层之间且围成窗口，所述上层、所述下层、所述侧壁及屏壁围成一空腔，所述空腔填充有保温材料，所述上层与水平面呈第一角度偏向所述热屏内部倾斜，所述下层与水平面呈第二角度偏所述向熔体坩埚内部倾斜，所述下层包含朝所述空腔内部凹陷的弧面。本发明通过改变热屏底部设计达到优化轴向和纵向温度梯度的目的，从而提高单晶硅的拉速，提高硅片径向的质量均匀性，并且通过下层弧面的热反射，从而达到节能的效果。本发明可有效提高工艺效率，节约能源，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。
技术研发人员：肖德元;汪燕
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2017.12.18
技术公布日：2019.06.25