一种加热均匀的SiC生长坩埚平台的制作方法

本申请涉及SiC生产技术领域，具体为一种加热均匀的SiC生长坩埚平台。

背景技术：

人造SiC通常是在坩埚中进行生产的，坩埚是通过石墨平台进行支撑的，石墨平台起到均热作用，在SiC生长过程中，需要对坩埚进行加热，但是一般的SiC生长坩埚都是直接在坩埚上通电使之加热，这种加热方式容易使坩埚能够在短时间内温度骤升，使得坩埚内的温度难以控制。

基于上述问题，设计发明一种新型的SiC生长坩埚平台就显得尤为必要。

技术实现要素：

为了克服现有技术中的缺陷，本申请提供了一种新型的SiC生长坩埚平台，该装置通过在石墨平台上的坩埚槽内铺设石墨毡，石墨毡内部均匀分布有电阻丝，电阻丝的端部裸露在石墨毡外部，加热时，直接在石墨毡上通电加热，使得石墨毡发热，从而进一步加热坩埚。这样设置，避免了直接给坩埚通电，而造成糊锅等问题。

为了实现上述目的，本申请采取的技术方案如下：

一种加热均匀的SiC生长坩埚平台，包括长方体形石墨平台，所述的长方体形石墨平台上开设有坩埚槽，且坩埚槽凹陷在长方体形石墨平台内部，开口与长方体形石墨平台的上表面平齐；所述的坩埚槽内铺设石墨毡，且石墨毡内部均匀分布有电阻丝，电阻丝的端部裸露在石墨毡的外部，SiC生长坩埚放置在坩埚槽内部，其外表面与裸露的电阻丝端部相接；

所述的石墨毡外部设置有通电按钮；

所述的石墨平台放置在不锈钢底座上，且不锈钢底座上开设有散热孔；

使用时，将SiC生长坩埚放置在坩埚槽内，启动通电按钮，开设对石墨毡加热，进而加热坩埚，石墨毡的设置，使得生长坩埚能够受热均匀，在各个方向及位点上，都能受热，避免了因局部受热而导致的晶型突变问题。

另外，在不锈钢底座上设置的散热孔，能够迅速将储存在石墨平台里的热量散发出来，便于该操作平台的控温。

附图说明

图1为一种加热均匀的SiC生长坩埚平台主视示意图；

图2为一种加热均匀的SiC生长坩埚平台俯视示意图；

附图标记

图中1为坩埚槽，2为长方体形石墨平台，3为不锈钢底座，4为散热孔，5为电阻丝，6为石墨毡，7为坩埚，8为通电钮。

具体实施例

实施例1

一种加热均匀的SiC生长坩埚平台，包括长方体形石墨平台2，所述的长方体形石墨平台2上开设有坩埚槽1，且坩埚槽1凹陷在长方体形石墨平台2内部，开口与长方体形石墨平台2的上表面平齐；所述的坩埚槽1内铺设石墨毡6，且石墨毡6内部均匀分布有电阻丝5，电阻丝5的端部裸露在石墨毡6的外部，SiC生长坩埚7放置在坩埚槽1内部，其外表面与裸露的电阻丝端部相接；

所述的石墨毡6外部设置有通电按钮8；

所述的石墨平台放置在不锈钢底座3上，且不锈钢底座3上开设有散热孔4；

使用时，将SiC生长坩埚放置在坩埚槽内，启动通电按钮8，开设对石墨毡加热，进而加热坩埚，石墨毡的设置，使得生长坩埚能够受热均匀，在各个方向及位点上，都能受热，避免了因局部受热而导致的晶型突变问题。

另外，在不锈钢底座上设置的散热孔，能够迅速将储存在石墨平台里的热量散发出来，便于该操作平台的控温。