本实用新型涉及光纤预制棒生产领域,具体涉及一种光纤预制棒沉积罩和光纤预制棒沉积室。
背景技术:
光纤预制棒生产过程中一般要经过外汽相沉积(OVD),其过程是将原料汽化后通过喷灯用氢氧焰进行高温燃烧,生成SiO2粉末向目标芯棒喷射,使其附着在芯棒表面,沉积成疏松体。
由于在沉积过程中所使用的燃烧方式为氢氧焰燃烧,在喷灯行走的上方会产生局部高温带,因此沉积室的上部沉积罩很容易因为高温形变及材质在高温状态下氧化变脆撕裂。
技术实现要素:
针对现有技术中存在的缺陷,本实用新型的目的在于提供一种光纤预制棒沉积罩和光纤预制棒沉积室,其可在高温状态下保持整个沉积罩的结构稳定性,延缓撕裂和形变的发生。
为达到以上目的,本实用新型采取的技术方案是:
一种光纤预制棒沉积罩,其包括上沉积罩和下沉积罩,所述上沉积罩设有延展区间,所述延展区间设有至少一个弧面,且围绕所述弧面还设有加强筋。
在上述技术方案的基础上,所述上沉积罩包括沉积罩面板,所述延展区间位于所述沉积罩面板。
在上述技术方案的基础上,所述延展区间上设有多个弧面。
在上述技术方案的基础上,多个所述弧面均匀分布于所述延展区间。
在上述技术方案的基础上,围绕每一个所述弧面均设有加强筋。
在上述技术方案的基础上,所述弧面阵列均布在所述沉积罩面板上。
在上述技术方案的基础上,所述加强筋垂直交错排列呈矩形网格状,每个所述矩形网格内设有一个延展弧面。
本实用新型还提供一种光纤预制棒沉积室,包括喷灯、进气口和排气口,所述喷灯设于所述进气口旁,其特征在于:所述光纤预制棒沉积室还包括如上所述的光纤预制棒沉积罩,光纤预制棒芯棒设于所述下沉积罩和上沉积罩间。
在上述技术方案的基础上,所述光纤预制棒沉积室中通有由所述进气口流向所述排气口的气流。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
(1)本实用新型中的光纤预制棒沉积罩在高温状态下能够沿凸台方向自由伸展,沉积完成后又能自由收缩恢复,从而保持整个沉积罩的结构稳定性,延缓撕裂和形变的发生。
(2)本实用新型中的光纤预制棒沉积罩将冷热变形限制在凸台的内部,有效降低了金属内部分子间的应力,从而减小了冷热变型过程中对整个上部沉积罩的结构形变,防止了面板的开裂,有效延长其使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型实施例中沉积室的结构示意图;
图2为本实用新型实施例中上部沉积罩的结构示意图;
图3为现有沉积罩加热前的结构示意图;
图4为现有沉积罩加热后的结构示意图;
图5为本实用新型实施例中上部沉积罩加热前的结构示意图;
图6为本实用新型实施例中上部沉积罩加热后的结构示意图;
图中:1-喷灯,2-芯棒,3-上沉积罩,4-排气口,5-下沉积罩,6-加强筋,7-弧面,8-进气口,9-沉积罩面板。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步详细说明。
参见图1、图2所示,本实用新型实施例提供一种光纤预制棒沉积罩,其包括上沉积罩3和下沉积罩5,所述上沉积罩3设有延展区间,所述延展区间设有至少一个弧面7,且围绕所述弧面7还设有加强筋6。
参见图3至图4所示,现有沉积罩为平面构型,在预制棒沉积过程中沉积罩面板9局部受热部分发生弯曲形变拱起高度d1;当沉积过程结束后,上部沉积罩3温度降低,拱起部分收缩,但其拱起部分由于氧化变脆,易被撕裂。
参见图5至图6所示,本实用新型沉积罩上延展区间内设有高度为d2的弧面7,其工作原理为:在生产沉积过程中,上部沉积罩3受高温作用产生延伸变形,由于背部加强筋6的强力结构固定,高温延展会限制在弧面7内部发生,向弧面7的背部延展,此时弧面7的高度变高为d3。当沉积过程结束后,上部沉积罩3温度降低,弧面7开始收缩还原。
经试验比较可知,在设置弧面7后,沉积罩面板9受热膨胀形变高度d3和发生的形变量(d3-d2)要远小于平面沉积罩面板9受热形 变量d1。其主要是由于弧面7的设置将冷热变形限制在弧面7的内部,有效降低了金属内部分子间的应力,从而减小了冷热变型过程对整个上部沉积罩3的结构形变,防止了沉积罩面板9的开裂,有效延长其使用寿命。
所述上沉积罩3包括沉积罩面板9,所述延展区间位于所述沉积罩面板9。
可在所述延展区间上设有多个弧面7。可将多个所述弧面7均匀分布于所述延展区间,围绕每一个所述弧面7均设有加强筋6。
可将所述弧面7阵列均布在所述沉积罩面板9上。增强整体结构的稳定性。
可将所述加强筋6垂直交错排列呈矩形网格状,每个所述矩形网格内设有一个延展弧面7,增强加强筋6相互应力,进一步减小受热时弧面7发生形变。
参见图1所示,本实用新型实施例还包括一种光纤预制棒沉积室,包括喷灯1、进气口8和排气口4,所述喷灯设于所述光纤预制棒沉积室进气口旁,所述光纤预制棒沉积室还包括如上所述的光纤预制棒沉积罩。
所述光纤预制棒沉积室中通有由所述进气口8流向所述排气口4的气流。
本实用新型不仅局限于上述最佳实施方式,任何人在本实用新型的启示下都可得出其他各种形式的产品,但不论在其形状或结构上作任何变化,凡是具有与本实用新型相同或相近似的技术方案,均在其保护范围之内。