本实用新型涉及多晶硅加工技术领域，具体涉及一种多晶硅样芯。
背景技术：
一般情况下，多晶硅施、受主杂质浓度、电学参数可以通过其生长的单晶棒检测得到。按照国家标准规定，多晶硅圆柱体(样芯)可以从有均匀沉积层的多晶硅样棒上钻取得到，经区熔工艺拉制成单晶棒，通过检测单晶硅棒晶体的性能，得到多晶硅产品的性能。
一般的多晶硅样芯为圆柱状，其化料时间长，而且化料后头部会形成较多的熔融状硅料，很难缩减缩颈、引晶部分的直径，不利于位错、缺陷的排出。具体套取方法是基于原电子级多晶硅生产过程修改而来。由于要求致密程度高，实际操作中容易造成样芯断裂，成功率低于20％。
技术实现要素：
本实用新型提供的一种多晶硅样芯，通过切割后加工成型，能缩短区熔单晶时的化料时间，并提高引晶缩颈的成功率。
为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种多晶硅样芯，包括头部及主体，两者一体式设计，主体为圆柱状，头部为圆台状，头部圆台下底面的直径与主体圆柱的横截面的直径相等；且头部与主体的高度比为1.5-1.8:8-13。
进一步地，所述圆柱底面的直径为2cm；圆台的下底面直径为2cm，上底面的直径为1cm。
进一步地，致密程度很高所述圆柱的高度为8-13cm，圆台的高度为1.7cm。
进一步地，所述头部及主体的表面光滑。
采用该结构相比于原有的柱状结构的有益效果是：
1、头部圆台状可以使预热叉更加贴近样芯，利于预热叉对样芯进行热辐射和热传导
2、圆台状的头部较圆柱状的头部硅料质量要小，能更容易使之达到红热状态，也更容易达到熔融状态
3、在区熔单晶的过程中，要在不拉断的情况下保证缩颈、引晶的直径尽可能的小。才能确保更多的位错、缺陷被排出到晶体表面，以确保等径过程中的成晶质量。圆台状的头部在化料后形成的液滴较小，操作者能轻易的缩颈到较细的程度。在后续的拉制过程中物料逐渐增加，熔区缓慢变大，能保证引晶操作的连续和稳定。能有效避免物料过多无法拉细和熔区较大出现流料等情况。
附图说明
图1 是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图来进一步说明本实用新型，但本实用新型要求保护的范围并不局限于实施例表述的范围。
如图1所示，一种多晶硅样芯，包括头部1及主体2，两者一体式设计，主体为圆柱状，头部为圆台状，头部圆台下底面的直径与主体圆柱的横截面的直径相等；且头部与主体的高度比为1.5-1.8:8-13。
优选的方案中，所述圆柱底面的直径为2cm；圆台的下底面直径为2cm，上底面的直径为1cm。
优选的方案中，所述圆柱的高度为8-13cm，圆台的高度为1.7cm。
优选的方案中，所述头部1及主体2的表面光滑。
具体制备时，可以选择多晶硅棒或大块多晶硅,按检测要求确定取样方向和范围，使用带锯沿选定的方向和范围对多晶硅进行切割，先获得长方体的多晶硅样芯；然后使用圆盘机对长方体的多晶硅样芯进行打磨加工，得到头部圆台状整体圆柱状的多晶硅样芯。在上述同一根多晶硅样棒上可以制备4个符合国标要求的样芯；在破碎后的大块多晶硅料上也可以制备1-2个符合国标要求的样芯。