一种多晶硅还原炉的制作方法

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，特别是指一种多晶硅还原炉。

背景技术：

多晶硅还原炉内部发生的反应主要是：经过加热汽化后的H₂和SiHCl₃气体按照一定的摩尔比在进入还原炉内，在硅芯表面进行一段时间的气相沉积反应生成多晶硅棒，产生SiCl₄、SiH₂Cl₂及HCl等副产物。硅芯在沉积生长的过程中，由于诸多原因造成炉内硅棒重心发生偏移或操作不当导致多晶硅棒在炉内最终倒塌断裂，还原炉倒棒将会对设备产生严重的损坏，同时也将提高设备对多晶硅产品的污染；炉体内反应产生的高温容易损坏炉体内壁，另外炉体内壁温度相对高于多晶硅还原沉积温度，会导致反应生成的多晶硅沉积于炉体内壁表面；还原炉内进料的不均匀，会使炉内气场产生浓度梯度，硅棒自下而上发生的沉积反应不同，出现硅棒上部较粗下部较细的状况。

技术实现要素：

本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，解决了硅棒容易倾倒、炉体内壁温度过高、硅棒沉积不均匀的问题。

本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种多晶硅还原炉，包括冷却水进口、炉体、冷却层、硅棒、电极、进料喷嘴、冷却水出口、底座、轴承、滑扣、方形槽、圆形槽，所述炉体顶部设有所述冷却水进口，底部一侧设有所述冷却水出口，所述炉体内侧设有所述冷却层，所述冷却层中通入循环冷却水，所述炉体置于所述底座上，所述底座中心设有所述电极，所述电极上设有所述硅棒，所述电极内部设有所述方形槽和圆形槽，所述方形槽设于所述圆形槽上方，所述硅棒底部设有所述轴承，所述轴承连接所述滑扣，所述滑扣可以旋转，所述电极四周等距离设置若干所述进料喷嘴，所述进料喷嘴穿过所述底座。

优选的，所述滑扣的体积略小于所述方形槽的体积，所述滑扣的厚度略小于所述圆形槽的厚度。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型硅棒与电极的连接设计，使得硅棒牢牢的固定在电极上，不会出现倾倒的情况，保证了还原系统能够安全、保质保量的运行。

2、本实用新型的冷却层对炉体内壁有降温作用，避免了炉内热量对炉体内壁造成损害，使得炉体内壁的温度相对低于多晶硅还原沉积温度，避免了在内壁上沉积多晶硅。

3、本实用新型的进料喷嘴围绕电极等距离分布，可以保证均匀进料，使得沉积更加有效，生成的硅棒厚度均匀。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型电极与硅棒连接结构示意图；

图3是本实用新型电极的俯视图；

图4是本实用新型底座的俯视图；

图中：1、冷却水进口；2、炉体；3、冷却层；4、硅棒；5、电极；6、进料喷嘴；7、冷却水出口；8、底座；9、轴承；10、滑扣；11、方形槽；12、圆形槽。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进一步说明：

一种多晶硅还原炉，包括冷却水进口1、炉体2、冷却层3、硅棒4、电极5、进料喷嘴6、冷却水出口7、底座8、轴承9、滑扣10、方形槽11、圆形槽12，所述炉体2顶部设有所述冷却水进口1，底部一侧设有所述冷却水出口7，所述炉体2内侧设有所述冷却层3，所述冷却层3中通入循环冷却水，所述炉体2置于所述底座8上，所述底座8中心设有所述电极5，所述电极5上设有所述硅棒 4，所述电极5内部设有所述方形槽11和圆形槽12，所述方形槽11设于所述圆形槽12上方，所述硅棒4底部设有所述轴承9，所述轴承9连接所述滑扣10，所述滑扣10可以旋转，所述电极5四周等距离设置若干所述进料喷嘴6，所述进料喷嘴6穿过所述底座8。

所述滑扣10的体积略小于所述方形槽11的体积，所述滑扣10的厚度略小于所述圆形槽12的厚度。

所述冷却水进口1通入循环冷却水，所述冷却层3包裹着所述炉体2，所述冷却层3中充满冷却水，并一直循环流动，从所述冷却水出口7流出，持续对炉体内壁进行降温。

所述硅棒4底部设有可旋转的所述轴承9，所述轴承9固定连接所述滑扣10，将所述滑扣10旋转到与所述方形槽11重合的位置，插入所述方形槽11，直至到所述圆形槽12底部，此时旋转所述滑扣10，转至与所述方形槽11垂直位置，此时所述硅棒4与电极5锁紧。

以上所述仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。