本实用新型属于半导体材料制备加工领域，特别涉及一种半导体晶体生长用脱舟装置。
背景技术：
在砷化镓等半导体单晶生长过程中，一般使用热解氮化硼坩埚（PBN坩埚）作为生长容器，氧化硼作液封剂，以避免砷化镓单晶分解。通常，氧化硼在热解氮化硼坩埚和砷化镓晶体之间形成一层厚度几微米到几十微米的薄膜，只能采用热水或醇类有机物做溶剂，通过浸泡的方法，缓慢溶解氧化硼薄膜。由于氧化硼薄膜处于坩埚壁和晶体之间，厚度很薄，溶解只能依靠扩散机制进行，速度慢，所需时间很长，一般为2-5天才能将氧化硼薄膜完全溶解，使氮化硼坩埚与砷化镓晶体分离，俗称“脱舟”。
为了更方便的脱舟，中国专利申请CN200820123997.X在甲醇箱体上加装出液导管和喷射导管，使用箱体外的磁力泵抽取喷射甲醇，利用流动的甲醇不断冲击氧化硼薄层，加速氧化硼的溶解，但是此方法一是加速溶解的效率较低，二是甲醇箱体加装的导管将甲醇导流到甲醇箱体外，增加了甲醇泄漏的风险。
因此，有必要设计一种新的晶体脱舟装置以解决上述技术问题。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服上述技术问题，在确保安全的前提下，提出一种高效的晶体脱舟装置。
为实现前述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种晶体脱舟装置，其包括用于存放溶剂的一箱体、至少一个超声波换能器、一超声波发生器以及一通风厨，所述箱体置于通风厨下，所述超声波换能器和超声波发生器电性连接，所述超声波换能器紧贴在箱体底壁或者侧壁设置。
作为本实用新型的进一步改进，所述箱体呈长方体型。
作为本实用新型的进一步改进，所述箱体包括一主体及盖设于主体上的一盖体。
作为本实用新型的进一步改进，所述盖体上设置有一把手。
作为本实用新型的进一步改进，所述超声波发生器的频率在25-130KHz之间。
作为本实用新型的进一步改进，所述晶体脱舟装置还包括用于检测箱体内的温度的温度控制器。
作为本实用新型的进一步改进，所述箱体内存放的溶剂为水或者醇类有机物，溶剂温度恒定在40-90℃。
本实用新型提出一种高效的晶体脱舟装置，采用通风厨确保安全，通过超声波的热效应、机械振动效应提升溶剂的温度，增加氧化硼在溶剂中的溶解度，从而提高溶剂的利用率，使脱舟困难的产品也能变得容易脱舟，减少生产的时间成本，使生产变得更加流畅。
附图说明
图1为本实用新型晶体脱舟装置的实施例的整体结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例对技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，一种晶体脱舟装置100，其包括一箱体110、至少一个超声波换能器120、一超声波发生器130以及一通风厨150，箱体110置于通风厨150下，超声波换能器120和超声波发生器130电性连接，超声波换能器120紧贴在箱体110底壁或者侧壁设置。
在本实施例中，箱体110呈长方体型；箱体110包括一主体111及盖设于主体111上的一盖体112；盖体112上设置有一把手112a。
在本实施例中，超声波发生器130的频率在25-130KHz之间。
在本实施例中，晶体脱舟装置100还包括用于检测箱体110内的温度的温度控制器140，因为箱体120内存放的溶剂为水或者醇类有机物，溶剂温度恒定在40-90℃，需要温度控制器140的精确控温。
本实用新型晶体脱舟装置100，将用于脱舟的箱体110置于通风厨150内，可以将溶剂挥发的气体及时排走，避免了采用醇类有机物作为溶剂时存在的易燃易爆危险；通过给箱体110加装超声波换能器120，通过超声波的热效应、机械振动效应提升溶剂的温度，增加氧化硼在溶剂中的溶解度，提高溶剂的利用率，减少生产成本；通过超声波的空化效应，使溶剂不断冲击氧化硼薄层，加快氧化硼的溶解，从而缩短脱舟时间。
值得注意的是，本实用新型同样适用于使用氧化硼作液封剂的InP、GaP、InAs等其它半导体单晶的脱舟。
本实用新型提出一种高效的晶体脱舟装置100，采用通风厨150确保安全，通过超声波的热效应、机械振动效应提升溶剂的温度，增加氧化硼在溶剂中的溶解度，从而提高溶剂的利用率，使脱舟困难的产品也能变得容易脱舟，减少生产的时间成本，使生产变得更加流畅。
尽管为示例目的，已经公开了本实用新型的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本实用新型的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。