1.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，包括：
通过柴式拉晶法成长所述单晶硅，其中所述柴式拉晶法至少满足以下条件(a)和(b)；
(a)保存硅熔汤的坩埚的旋转速度小于5rpm，且所述单晶硅和所述坩埚之间的旋转速度差值大于10rpm；以及
(b)在所述单晶硅的周围配置倒圆锥状的热遮罩，且通过所述热遮罩顶部的惰性气体的流速比通过在所述热遮罩的底部和所述硅熔汤的液面之间区域的所述惰性气体的流速慢5至10倍。
2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述坩埚的旋转速度为大于0.002rpm且小于5rpm。
3.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述单晶硅和所述坩埚之间的旋转速度差值为16rpm以上。
4.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述单晶硅和所述坩埚之间的旋转速度差值为16rpm～30rpm。
5.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述单晶硅和所述坩埚的旋转方向相同。
6.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述单晶硅和所述坩埚的旋转方向相反。
7.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述惰性气体包括氩气。
8.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述柴式拉晶法还包括提供氮气。
9.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述柴式拉晶法为一外加1500gauss～4000gauss水平磁场的柴式拉晶法。
10.根据权利要求9所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述硅熔汤设置在所述水平磁场的最高强度的80％以上。
11.根据权利要求9所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述硅熔汤设置在所述水平磁场的最高强度的90％～100％。
12.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述热遮罩的底部与所述硅熔汤的液面之间的高度设计成使通过所述热遮罩的底部和所述硅熔汤的液面之间的截面积的所述惰性气体的流速比通过在所述热遮罩的顶部的截面积的所述惰性气体的流速快5至10倍。
13.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述惰性气体流向所述硅熔汤的液面的截面积与所述惰性气体流出所述硅熔汤的液面的截面积的比例为0.25～1。
14.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述柴式拉晶法还包括在所述坩埚的周围配置第一加热器，且所述第一加热器的长度与所述坩埚的高度的比为1～2。
15.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述柴式拉晶法还包括在所述坩埚的下方配置第二加热器，且所述第二加热器的宽度与所述坩埚的内径的比为0.3～0.9。