单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种没有由晶体引起的缺陷、且如铁元素那样的金属元素的污染度小、电气特性优异的单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片。所述单晶硅锭通过CZ法培育，并且不存在空位型点缺陷的凝集体及间隙硅点缺陷的凝集体，所述单晶硅锭的特征在于，铁污染浓度为2×109atoms/cm3以下。

技术研发人员：原田和浩;降屋久
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
技术研发日：2018.04.20
技术公布日：2019.10.29