溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法与流程

技术总结
一种溅射靶，包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，该氧化物包含InAlO3(ZnO)m(m为0.1～10)表示的同系结构化合物和In2O3表示的方铁锰矿结构化合物。

技术研发人员：江端一晃;但马望
受保护的技术使用者：出光兴产株式会社
技术研发日：2013.11.08
技术公布日：2018.09.18