1.一种氮化硼纳米片/碳纳米管复合材料的制备方法，其特征在于包括：
(1)使作为插层剂的催化剂前驱体与氮化硼原料进行插层反应，制得氮化硼插层物；
(2)在设定温度下，使氮化硼被解理为氮化硼纳米片，以及使催化剂前驱体被还原为催化剂，所述催化剂为生长碳纳米管所需的催化剂；
(3)将步骤(2)所获反应产物置于适合碳纳米管生长的环境中，进行碳纳米管的生长，从而获得氮化硼纳米片/碳纳米管复合材料。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)具体包括：将质量比不低于3：1的催化剂前驱体与氮化硼原料混合并置于密封环境中进行插层反应，反应温度200-800℃，反应时间为1-60小时。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述催化剂前驱物与氮化硼原料的质量比为3:1-50:1。
4.如权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述催化剂前驱体选自金属化合物。
5.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述金属化合物包括氯化铁、氯化镍、溴化铁、溴化镍、氯化铜、氯化铝中的任意一种或两种以上的组合。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)具体包括：将氮化硼插层物置入密封反应室内，并通入还原性气体形成还原性气氛，再使所述反应室内的温度在30s内由室温升至设定温度，使氮化硼被解理为氮化硼纳米片，并使催化剂前驱体被还原为催化剂，所述设定温度高于800℃。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述设定温度为1000-1500℃；和/或，使所述反应室内的温度由室温升至设定温度的时间小于10s；和/或，所述还原性气体为氢气。
8.如权利要求1、6所述的制备方法，其特征在于：所述催化剂为金属纳米颗粒；和/或，所述催化剂的粒径小于100nm。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)具体包括：采用化学气相沉积法生长碳纳米管，其中碳源气体流量为1-1000sccm，氢气流量为10-1000sccm，惰性气体流量为0-1000sccm，生长压力为1-800torr，生长温度为500-1500℃，生长时间在1分钟以上。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述碳源包括气态碳源或液态碳源，所述液相碳源包括甲醇、乙醇、丙醇和芳香烃中的任意一种或两种以上的组合，所述气相碳源包括甲烷、乙烷、丙烷、乙炔、乙烯和丙烯中的任意一种或两种以上的组合。