本发明属于陶瓷材料领域，具体涉及一种发光陶瓷釉面砖。
背景技术：
传统的陶瓷面釉主要以普通白釉为主，虽然利于实现图案装饰，但是所制备的陶瓷制品仅能在光亮的情况下显示出表面的装饰设计图案，而在亮度不足的情况下或黑暗时是无法显示出制品原有的装饰效果，没有新的创意与发展，适应不了当今的文化艺术发展以及人们对创新艺术的追求。
发光陶瓷釉面砖具有吸收可见光并在夜间或暗处发出强光线的功能，可用于会客室、卧室、卫生间、门厅、楼梯等地方，在突然失去照明条件的紧急情况下方便人们的生活，既能起到照明、标示和装饰作用，又方便和美化了人们的生活，还可大幅度节能。
发光陶瓷是将稀土材料经高温高压激化处理而成的一种高纯、高科技尖端材料。它可以吸收阳光或其它散射光，吸蓄光能以后发生活化，而发出强光。对于发光陶瓷已有一些报道和专利，然而，可形成产品大规模生产的依然较少，原因有两方面，一是发光釉料烧成温度低，一般只有1000度以下，低温的釉料难以与胚体结合，容易产生釉裂，二是所采用的发光材料以铜或铒、镓为激活剂的硫化物系列发光粉，其中有些含有放射性物质，会对人体造成伤害，不利于环境友好。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种发光陶瓷釉面砖。
本发明所采取的技术方案是：
一种发光陶瓷釉面砖，其特征在于，按质量份数计，包括如下原料：5～15份碳酸锶、10～20份硼砂、15～30份发光粉、20～40份高岭土、30～50份石英、10～25份碳酸钡、5～20份二氧化硅、10～25份三氧化二铝。
优选地，按质量份数计，包括如下原料：8份碳酸锶、12份硼砂、25份发光粉、35份高岭土、40份石英、23份碳酸钡、17份二氧化硅、22份三氧化二铝。
上述发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)按配方称取碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅、硼砂在熔块炉中于1100～1300℃的温度下熔化，水淬，烘干；
(2)加入高岭土、石英、三氧化二铝、发光粉，湿法球磨后得到釉浆；
(3)将釉浆施于胚体上，入窑烧制即得。
优选地，步骤(2)中，所述的湿法球磨，原料与水的质量比为10:4～7。
优选地，步骤(3)中，所述胚体的吸水率为10～20％。
优选地，步骤(3)中，所述烧制的烧制时间为30～60min，烧制温度为1100～1300℃。
本发明配方中的碳酸锶、硼砂和三氧化二铝有利于提高发光材料的发光效率，二氧化硅的加入可以调整发光材料的色调。
本发明的有益效果是：
(1)本发明烧成温度高，釉料与胚体结合性好，不易产生釉裂，用该方法生产出的陶瓷砖可广泛用于公路、桥梁隧道、机场、港口、广告设施、建筑装饰、室内走廊的安全、防火等指示性标志。
(2)本发明通过调整原料组分的选用及优化其配比，制备出的面釉不但耐化学腐蚀性能优异而且兼具畜能发光功能，同时其釉面细腻、质感良好，确保了装饰图案的纹理清晰，适用于各种不同风格的设计图案，且制备工艺简单，生产效率高。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1
原料：5份碳酸锶、20份硼砂、15份发光粉、40份高岭土、30份石英、25份碳酸钡、5份二氧化硅、25份三氧化二铝。
制备步骤：
(1)按配方称取碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅、硼砂在熔块炉中于1100℃的温度下熔化，水淬，烘干；
(2)加入高岭土、石英、三氧化二铝、发光粉，湿法球磨，原料与水的质量比为10:7，得到釉浆；
(3)将釉浆施于胚体上，胚体的吸水率为10％，入窑烧制，烧制时间为60min，烧制温度为1100℃，即得。
实施例2
原料：8份碳酸锶、12份硼砂、25份发光粉、35份高岭土、40份石英、23份碳酸钡、17份二氧化硅、22份三氧化二铝。
(1)按配方称取碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅、硼砂在熔块炉中于1200℃的温度下熔化，水淬，烘干；
(2)加入高岭土、石英、三氧化二铝、发光粉，湿法球磨，原料与水的质量比为10:6，得到釉浆；
(3)将釉浆施于胚体上，胚体的吸水率为15％，入窑烧制，烧制时间为40min，烧制温度为1200℃，即得。
实施例3
原料：15份碳酸锶、10份硼砂、30份发光粉、20份高岭土、50份石英、10份碳酸钡、20份二氧化硅、10份三氧化二铝。
制备步骤：
(1)按配方称取碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅、硼砂在熔块炉中于1300℃的温度下熔化，水淬，烘干；
(2)加入高岭土、石英、三氧化二铝、发光粉，湿法球磨，原料与水的质量比为10:6，得到釉浆；
(3)将釉浆施于胚体上，胚体的吸水率为20％，入窑烧制，烧制时间为30min，烧制温度为1300℃，即得。
实施例4
原料：15份碳酸锶、20份硼砂、30份发光粉、40份高岭土、30份石英、10份碳酸钡、12份二氧化硅、21份三氧化二铝。
制备步骤：
(1)按配方称取碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅、硼砂在熔块炉中于1100℃的温度下熔化，水淬，烘干；
(2)加入高岭土、石英、三氧化二铝、发光粉，湿法球磨，原料与水的质量比为10:5，得到釉浆；
(3)将釉浆施于胚体上，胚体的吸水率为10％，入窑烧制，烧制时间为40min，烧制温度为1300℃，即得。
实施例5
原料：9份碳酸锶、16份硼砂、19份发光粉、32份高岭土、43份石英、17份碳酸钡、16份二氧化硅、19份三氧化二铝。
制备步骤：
(1)按配方称取碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅、硼砂在熔块炉中于1300℃的温度下熔化，水淬，烘干；
(2)加入高岭土、石英、三氧化二铝、发光粉，湿法球磨，原料与水的质量比为10:7，得到釉浆；
(3)将釉浆施于胚体上，胚体的吸水率为10％，入窑烧制，烧制时间为60min，烧制温度为1100℃，即得。
实施例6
原料：13份碳酸锶、17份硼砂、26份发光粉、25份高岭土、35份石英、22份碳酸钡、13份二氧化硅、11份三氧化二铝。
制备步骤：
(1)按配方称取碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅、硼砂在熔块炉中于1300℃的温度下熔化，水淬，烘干；
(2)加入高岭土、石英、三氧化二铝、发光粉，湿法球磨，原料与水的质量比为10:5，得到釉浆；
(3)将釉浆施于胚体上，胚体的吸水率为16％，入窑烧制，烧制时间为50min，烧制温度为1200℃，即得。
本发明产品的主要性能：
吸水率:16％；耐急冷急热性:130℃温差，一次循环，无裂纹；抗龟裂：0.5mpa，1h，无裂纹，无龟裂。
本发明产品性能均满足gb/t4100-92的标准，发光起始强度高，余辉时间长。
上述实施例仅用以说明本发明的技术方案而并非对其进行限制，凡未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明技术方案的范围。