同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚的制作方法

本实用新型涉及氟化物晶体用坩埚的技术领域，特别涉及同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚。

背景技术：

所谓晶体生长是物质在特定的物理和化学条件下由气相、液相或固相形成晶体的过程。人类在数千年前就会晒盐和制糖。人工模仿天然矿物并首次合成成功的是刚玉宝石(α氧化铝)一法国化学家A。维尔纳叶约在1890年开始试验用氢氧焰熔融氧化铝粉末，以生长宝石，这个方法一直沿用至今，仍是生长轴承用宝石种装饰品宝石的主要方法。第二次世界大战后，由于天然水晶作为战略物资而引起人们的重视，科学家们又发明了水热法生长人工水晶。人们还在超高压下合成了金刚石，在高温条件下生长了成分复杂的云母等重要矿物，以补充天然矿物的不足。20世纪50年代。锗、硅单晶的生长成功，促进了半导体技术和电子工业的发展。20世纪60年代，由于研制出红宝石和钇铝石榴石单晶，为激光技术打下了牢固的基础。

氟化物晶体生长技术中，坩埚下降法是使用比较多的方法，这种方法的生产效率和单晶产率决定了晶体材料的成本。目前单坩埚法和多坩埚法是根据客户要求来提高生产效率的手段，但这两种方法的产率还没有达到很高的水平。

技术实现要素：

为了克服背景技术的不足，本实用新型提供同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，主要解决了现在的坩埚不能很好的同时生长多根氟化物晶体的问题。

本实用新型所采用的技术方案是：

同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，包括埚体，所述埚体内设有埚套，所述埚套轴向设有若干通槽，所述埚体内壁底部设有籽晶阱，各个所述通槽均与所述籽晶阱连通。

所述埚套与所述埚体可拆卸连接。

所述埚套外壁与所述埚体内壁卡接配合。

所述通槽底部与所述籽晶阱上方之间设有容腔，所述容腔的横截面为大开口朝上的梯形面。

所述通槽横截面为圆形或者方形。

所述通槽横截面为圆形，所述通槽均布于所述埚套轴向面。

所述通槽横截面为正方形。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，其埚套内设有若干通槽，可以同时生成多根氟化物晶体，结构简单，使用方便。

附图说明

图1为本实用新型一个实施例的剖视示意图。

图2为本实用新型一个实施例的爆炸示意图。

图3为本实用新型一个实施例的套筒的俯视图。

图4为本实用新型另一个实施例的套筒的俯视图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：如图所示，同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，包括埚体1，所述埚体内设有埚套2，所述埚套2轴向设有若干通槽21，所述埚体内壁底部设有籽晶阱11，各个所述通槽均与所述籽晶阱连通。本实用新型提供同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚，其埚套内设有若干通槽，可以同时生成多根氟化物晶体，结构简单，使用方便。使用时，将籽晶放入埚体的籽晶阱中；将埚套放入埚体中；将氟化钙晶体生长原料填入埚套中和埚体中；

放入晶体生长炉进行晶体生长，生长结束后取出多根氟化钙晶体。

在本实施例中，如图所示，所述埚套与所述埚体可拆卸连接。

在本实施例中，如图所示，所述埚套外壁与所述埚体1内壁卡接配合。也可以为间隙配合，卡接配合安装更加稳固。

在本实施例中，如图所示，所述通槽21底部与所述籽晶阱11上方之间设有容腔4，所述容腔的横截面为大开口朝上的梯形面。

在本实施例中，如图所示，所述通槽横截面为圆形或者方形。可以成行多种形状的晶体，可以根据实际需求设置。

在本实施例中，如图所示，所述通槽横截面为圆形，所述通槽均布于所述埚套2轴向面。合理利用埚套的空间。

在本实施例中，如图所示，所述通槽横截面为正方形。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。实施例不应视为对本实用新型的限制，但任何基于本实用新型的精神所作的改进，都应在本实用新型的保护范围之内。