技术特征：
技术总结
本发明公开一种黑砷磷晶体的制备方法，包括：(1)将砷磷混合物、锡粉及四碘化锡按质量比例10～60:1～3:0.5～1.5混合后真空封装，再将混合物料加热至700℃～800℃并保持2～3h；(2)将步骤(1)最终所获混合物料冷却至温度为450～550℃并保持3～4h；(3)将步骤(2)最终所获混合物料冷却至室温，获得黑砷磷晶体。本发明可以制备出一系列原子比的黑砷磷晶体，拓展了黑砷磷的带隙变化及应用范围，实现大规模制备带隙可调的高质量黑砷磷晶体。同时，采用四碘化锡，降低了生长温度，提高了输运效率，可防止真空设备发生腐蚀。另外，黑砷磷转化率高，没有其他杂质相产生，生长时间短，生长设备简单，产率高。
技术研发人员：张凯;史鑫尧;徐轶君
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2019.03.06
技术公布日：2019.05.03