瓷片局部镀金属膜方法与流程

文档序号:18159809发布日期:2019-07-13 09:17阅读:752来源:国知局

本发明涉及一种瓷片局部镀金属膜方法,属于陶瓷生产加工领域。



背景技术:

将陶瓷和金属结合能取得良好的艺术效果,珐琅就是一个很好的例子,在金属表面搪瓷,使产品既具有金属的光泽和质感,又具有陶瓷的光泽和质感。为了增强瓷片的艺术效果,陶瓷领域内也在不断寻求将瓷片与金属结合的方法。珐琅是将陶瓷加在金属之上,而在瓷片上加上金属就正正与珐琅相反,珐琅的制作工艺无法应用到陶瓷行业中,这就需要探索适合在瓷片上加上陶瓷的方法。

公开号为“cn201423864”的专利文献公开了一种掐丝珐琅艺术陶瓷,该方案在陶瓷胎体固定有构成图案的金属丝,可做出与珐琅艺术效果的相似的陶瓷,但该方案中掐丝和固定金属丝都是比较复杂的操作,只能做简单的图形,如果做复杂的图形则非常困难,也非常耗时,应用于瓷片上难以多款式大规模生产。

公开号为“cn101157543b”的专利文献公开了一种具有金属光泽局部点缀表面的陶瓷砖制作方法,采用了不同的方案,该方案利用陶瓷压机压制形成素坯,压机模具上分布有凸起,使压出的素坯表面上形成多个凹坑,用喷釉设备在表面布上均匀的金属釉,干燥后用磨砂机将素坯表面的金属釉磨去,仅余凹坑内的金属釉,接着进行丝网印花、滚筒印花,最后烧成,工艺比较简单,能够大批量生产,然而陶瓷领域内现有的金属釉烧成后的效果与真正金属的颜色、光泽和质感都有较大差异,艺术效果不佳,且该方案不同的瓷片花样需要不同的压坯模具,前期投入金钱和成本巨大。

公开号为“cn104844273b”的专利文献提供了另一种方案,这一专利文献提供了一种镀金陶瓷砖的制备方法,通过真空镀金制作镀金层,使用印有图案的保护膜覆盖陶瓷砖表面,按图案对镀金层进行雕刻,对镀金预留区域进行遮挡,对镀金预留区域外的镀金层进行揭膜,通过喷砂处理去除镀金预留区域外的镀金层,形成凹陷区域,再对凹陷区域进行uv喷墨打印,之后对油墨进行固化,制得成品。因为现有技术中对陶瓷真空镀层只能覆盖整个砖面,不能局部镀,不能得出砖面上陶瓷与金属结合的效果,所以该方案才有了后续一系列贴膜、雕刻、遮挡、揭膜、喷砂、uv喷墨的操作,还要控制好喷砂的深度以暴露出原来的陶瓷层,该方案能得到很好的陶瓷与金属结合的艺术效果,金属的颜色自然、反光效果好,但喷砂难免损伤陶瓷层本身的釉面,且镀层后工艺繁琐,限制了其应用。



技术实现要素:

为了克服现有技术的不足,本发明提供一种瓷片局部镀金属膜方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种瓷片局部镀金属膜方法,包括以下步骤:

a:挑选已烧成的瓷片,设计需要局部镀金属膜的位置;

b:取步骤a挑选的瓷片,在不需要镀金属膜的位置上一层隔离釉;

c:将步骤b所得的瓷片送入窑炉低温烧成,然后取出冷却,在瓷片上形成隔离釉面;

d:取步骤c中冷却后的瓷片,进行真空镀层;

e:对步骤d中镀层后的瓷片进行清洗,洗掉隔离釉,得到局部镀金属膜的瓷片。

优选地,步骤d中真空镀层时,所用靶材为钛,真空炉的温度范围为150-320℃。

优选地,步骤b中采用丝网印刷上隔离釉。

优选地,所述隔离釉为氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物,印特殊釉所用丝网为50目-80目丝网。

更优选地,氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物中按质量分数计,氧化铝粉末占45%-65%,硅酸锆占35%-55%。

优选地,丝网印氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物前,氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物先与胶水混合均匀。

更优选地,所述胶水为甲基纤维素溶液,配制浓度为100份水加入1.5份-2份甲基纤维素,氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物整体与胶水以重量计的混合比例为,粉末总量:胶水=4:6至6:4。

优选地,在步骤b和步骤c之间还有一个步骤b’:取步骤b上完隔离釉的瓷片,在需要镀金属的位置用布料机布施一层熔块干粒。

优选地,步骤c中低温烧成的温度范围为285-800℃,烧成时间为50-70分钟。

更优选地,窑炉分为九个区实施烧制,按顺序为预热一区、预热二区、高温一区、高温二区、急冷一区、急冷二区、冷却一区、冷却二区和冷却三区,其中预热一区温度为330-460℃,预热二区温度为500-645℃,高温一区温度为645-735℃,高温二区温度为735-800℃,急冷一区温度为800-650℃,急冷二区温度为650-555℃,冷却一区温度为555-465℃,冷却二区温度为465-380℃,冷却三区为380-285℃,瓷片经过每个区的时长相同,取出后自然冷却。

本发明的有益效果是:本发明将隔离釉固定在瓷片不需要镀金属膜的位置上,真空镀层时,受限于现阶段技术水平,真空镀层依然是整个砖面镀,隔离釉将金属膜和瓷片隔离,没隔离釉的位置金属膜紧密附着在瓷片的面釉上,镀层后用水洗掉隔离釉,暴露出隔离釉底下的陶瓷面釉,可以同时保留金属和陶瓷原有的色彩和光泽,制作工艺相对简单。

具体实施方式

一种瓷片局部镀金属膜方法,包括以下步骤:

步骤a:准备已烧成的瓷片,即常见的已有图案并具有一层已烧成面釉的普通瓷片,购买或自产而得,设计需要局部镀金属膜的位置。批量生产中,选用同一图案的瓷片,因应图案设计需要局部镀金属的位置。制作带图案瓷片的方法与现有技术相同,即先制作平面薄板砖坯,然后在砖坯的顶面淋底釉,接着用陶瓷喷墨机在底釉上打印预设图案,然后施上一层面釉,最后送入窑炉高温烧成,然后取出冷却得到带图案的瓷片。

为了保证后续在瓷片上镀金属膜位置和不镀金属膜的位置采用不同处理时的精度,根据设计出的镀金属膜的位置制作两种丝网:丝网b印出的图形为同一瓷片上所有不镀金属膜位置构成的图形,丝网b’印出的图形为同一瓷片上所有镀金属膜位置构成的图形。两种丝网均为50目-80目的丝网。

步骤b:取步骤a准备的瓷片,在不需要镀金属膜的位置上一层隔离釉。上隔离釉时用丝网b。所述隔离釉为氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物,其中,氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物中按质量分数计,氧化铝粉末占45%-65%,硅酸锆占35%-55%。丝网印氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物前,氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物先与胶水混合均匀。胶水的作用在于稳定粉末,避免氧化铝粉末和硅酸锆粉末在窑烧前受震动而在瓷片上发生位移使局部镀金定位不准确,如果从施隔离釉,布施熔块干粒,一直到窑烧都能保证瓷片绝对平稳,也可以不使用胶水。所述胶水为甲基纤维素溶液,配制浓度为100份水加入1.5份-2份甲基纤维素,氧化铝粉末和硅酸锆粉末的混合物整体与胶水以重量计的混合比例为,粉末总量:胶水=4:6至6:4。无论后续接步骤b’还是步骤c,胶水都不用非要等到胶水完全凝固。胶水不参与隔离釉的烧成,窑烧时胶水受高温完全降解殆尽。隔离釉和瓷片的结合力比较小,镀金后用高压水枪就可将隔离釉冲掉。

步骤b’(为了增强瓷片立体感,优化艺术效果时才实施的一步):取步骤b上完隔离釉的瓷片,在需要镀金属的位置用布料机布施一层熔块干粒,所用熔块干粒为低温熔块。布料机用丝网b’进行布料。低温熔块经步骤c低温烧成后,小颗粒会熔融成相连并固结,强力附着在面釉上。若不经历步骤b’,金属膜镀在面釉上;若经历步骤b’,金属膜镀在低温熔块上。施上熔块干粒后传送到窑炉的过程中,为了保证熔块干粒位置精确,不可人为翻转或强烈震动瓷片。

步骤c:将步骤b或b’(有进行步骤b’时)所得的瓷片送入窑炉低温烧成,然后取出冷却。烧成的温度范围为285-800℃,烧成时间为50-70分钟。具体为,窑炉分为九个区实施烧制,按顺序为预热一区、预热二区、高温一区、高温二区、急冷一区、急冷二区、冷却一区、冷却二区和冷却三区,其中预热一区温度为330-460℃,预热二区温度为500-645℃,高温一区温度为645-735℃,高温二区温度为735-800℃,急冷一区温度为800-650℃,急冷二区温度为650-555℃,冷却一区温度为555-465℃,冷却二区温度为465-380℃,冷却三区为380-285℃,瓷片经过每个区的时长相同,取出后自然冷却。使用该温度梯度能够保证隔离釉不烧毁,又保证面釉和低温熔块不开裂。

步骤d:取步骤c中冷却后的瓷片,进行真空镀层。所用靶材为钛块,真空炉的温度范围为150-320℃。

步骤e:对步骤d中镀层后的瓷片进行清洗,洗掉隔离釉,得到局部镀金属膜的瓷片。清洗操作优选为高压水枪冲洗,能够有效冲掉隔离釉,暴露出瓷片的面釉,且不会冲掉附着在面釉上的钛层,高压水枪也不会损伤面釉,保留了金属膜层和瓷片光滑的面釉层,使镀膜位置和不镀膜位置严格依照步骤a设计的定位,亦即丝网的定位。最终得到的瓷片能够同时拥有陶瓷和金属的色彩、光泽和质感。采用该方法为瓷片局部镀金属膜步骤相对简单,只在设计丝网时需要花些心思,每个款式的瓷片只需制作两个丝网(丝网b和丝网b’),就可以连续批量生产,特别是本方法在镀金属膜后的操作十分简单,而制作丝网要比制作模具快得多,成本也低很多。

以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

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