一种碳化硅单晶生长装置的制作方法

文档序号:17989066发布日期:2019-06-22 00:38阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置,包括工作腔体、可升降的穿设于工作腔体中的连接杆、用于驱动连接杆升降的第一驱动机构、设于工作腔体中的坩埚和用于为坩埚加热的加热机构;坩埚包括固设于连接杆底部的坩埚盖、可拆卸的连接在坩埚盖下方的坩埚本体;连接杆包括杆本体、开设于杆本体上的用于通入通出冷媒的第一通道、开设于杆本体上的用于通入工艺气体的第二通道;第一通道与第二通道相互隔断,第二通道与工作腔体连通;连接杆用于通过冷媒和/或工艺气体为坩埚盖降温;工作腔体还包括出气口。本发明一种碳化硅单晶生长装置,优化了热传导路径,使热量只通过坩埚盖传输,更易实现下高上低的温度场要求,提高了碳化硅单晶的生长质量。

技术研发人员:李留臣;周正星;周洁
受保护的技术使用者:江苏星特亮科技有限公司
技术研发日:2019.04.23
技术公布日:2019.06.21
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