技术特征：
1.一种非线性光学晶体，其特征在于，所述非线性光学晶体为钐掺杂的铌酸镓镧晶体，化学式为(la
1-x
sm
x
)nb
0.5
ga
5.5
o
14
，其中0＜x≤0.5。2.根据权利要求1所述的非线性光学晶体，其特征在于，0.05≤x≤0.25。3.根据权利要求1或2所述的非线性光学晶体，其特征在于，所述非线性光学晶体能够吸收0.5～2.0μm波段内的特定闲频光。4.一种如权利要求1-3中任一项所述的非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，采用熔体提拉法或者坩埚下降法生长所述非线性光学晶体。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述熔体提拉法包括：（1）按照所述非线性光学晶体的化学式称量la2o3粉体、sm2o3粉体、nb2o5粉体和ga2o3粉体并混合后压制成块，在1200～1400℃下烧结10～40小时，得到多晶原料块体；（2）将lgn籽晶和步骤（1）中所得的多晶原料转入坩埚中，加热使得多晶原料块体完全熔化后，控制接种温度1470～1510℃，开始进行非线性光学晶体的生长：控制转速为5～30转/分钟，提拉速度为0.1～5毫米/小时；（3）生长结束后将晶体脱离熔体，将晶体以30～120℃/小时降温至室温，得到所述的非线性光学晶体。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，以150～250℃/小时的升温速率加热至1470～1520℃，并保温5～24小时使得多晶原料块体完全熔化。7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚下降法包括：（1）按照所述非线性光学晶体的化学式称量la2o3粉体、sm2o3粉体、nb2o5粉体和ga2o3粉体并混合后压制成块，在1200～1400℃下烧结10～40小时，得到多晶原料块体；（2）将lgn籽晶和步骤（1）中所得的多晶原料转入坩埚中，加热使得多晶原料和lgn籽晶籽晶的顶部熔化，开始非线性光学晶体的生长；（3）在非线性光学晶体的生长过程中，在控制生长过程中下降速度为0.2～0.4mm/h，直至多晶料块全部结晶后停止下降；（4）生长结束后，以10～30℃/小时的降温速度降至室温，得到所述非线性光学晶体。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述熔化所需的温度为1470～1520℃，时间为5～24小时。9.根据权利要求5-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述lgn籽晶的取向为<110>、<100>、或<001>；所述lgn籽晶的截面形状为圆形、长方形、或正方形；所述lgn籽晶的尺寸为φ5～25mm
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40～80mm。10.一种含有权利要求1-3中任一项所述的非线性光学晶体的非线性光学器件。