1.一种采用高压相变法制备亚微米多晶β-si3n4块体的方法，其特征在于：包括如下步骤：
a、原料处理：将纯度高于99%、平均晶粒尺寸为2-500μm的α-si3n4粉末原料干燥，在100-120℃条件下干燥12小时；干燥后的原料在200-500mpa压力作用下预压成型，把预压成型的样品放入真空干燥箱中，在100-120℃条件下干燥6小时；
b、装配烧结单元：将预压成型的试样用钼杯进行包裹，避免样品在高温高压下污染；将钼杯包裹的试样装入高压烧结单元中，将组装好的烧结单元放入干燥箱中在120℃恒温作用下干燥备用；
c、高温高压烧结：利用六面顶压机进行高温高压烧结，烧结压力为3-10gpa，烧结温度为1600-2600℃，保温时间为20秒-20分钟；待保温结束后，保压2分钟后再开始缓慢降压；
d、样品处理：取出合成腔体内的样品，去除块体材料外面包裹的钼杯，对内部样品进行打磨、抛光以及酸洗后，得到高性能亚微米多晶β-si3n4块体。
2.根据权利要求1所述的采用高压相变法制备亚微米多晶β-si3n4块体的方法，其特征在于：利用六面顶压机进行高温高压烧结，烧结压力为3-5gpa，烧结温度为1600-2000℃，保温时间为20秒-10分钟。