1.一种掺杂方法，其特征在于，应用于单晶炉中，所述方法包括：
在拉制当前单晶硅棒前，向硅熔料中加入第一预设质量的掺杂剂；
在当前单晶硅棒的拉制过程中，检测当前单晶硅棒的生长长度；
当所述当前单晶硅棒生长长度满足预设条件时，向硅熔料中加入与第二预设质量成比例的掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设条件包括：所述当前单晶硅棒生长长度与所述当前单晶硅棒的预设总长度之间的比例为m：n，其中，所述n>0，所述m<所述n；
所述当所述当前单晶硅棒生长长度满足预设条件时，向硅熔料中加入与第二预设质量成比例的掺杂剂包括：
当所述当前单晶硅棒生长长度满足所述当前单晶硅棒生长长度与所述当前单晶硅棒的预设总长度之间的比例为m：n时，向所述硅熔料中加入与第二预设质量成比例的掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述单晶炉内的预设位置处设置有多个光敏传感器，其中，所述预设位置为所述单晶炉内所述当前单晶硅棒生长长度与所述当前单晶硅棒的预设总长度之间的比例为m：n的位置；
所述在当前单晶硅棒的拉制过程中，检测当前单晶硅棒的生长长度包括：
在当前单晶硅棒的拉制过程中，利用设置在所述单晶炉内的所述多个光敏传感器，检测当前单晶硅棒的生长长度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多个光敏传感器的数量为4个；
所述多个光敏传感器等间距或者非等间距的设置在所述单晶炉内。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述掺杂剂的总质量由所述当前单晶硅棒的预设总质量和所述当前单晶硅棒的预设电阻率决定；
所述第二预设质量与掺杂剂总质量之间的比例为x：y；其中，所述x>0，所述x<所述y。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当前单晶硅棒拉制完成后，向所述硅熔料中加入第三预设质量的掺杂剂。
7.一种单晶装置，其特征在于，所述单晶装置包括：第一控制模块、检测模块和第二控制模块；
所述第一控制模块用于在拉制当前单晶硅棒前，向硅熔料中加入第一预设质量的掺杂剂；
所述检测模块用于在当前单晶硅棒的拉制过程中，检测当前单晶硅棒的生长长度；
所述第二控制模块用于当所述当前单晶硅棒生长长度满足预设条件时，向硅熔料中加入与第二预设质量成比例的掺杂剂。
8.根据权利要求7所述的单晶装置，其特征在于，所述预设条件包括：所述当前单晶硅棒生长长度与所述当前单晶硅棒的预设总长度之间的比例为m：n，其中n>0，m<n；
所述第二控制模块用于当所述当前单晶硅棒生长长度满足所述当前单晶硅棒生长长度与所述当前单晶硅棒的预设总长度之间的比例为m：n时，向所述硅熔料中加入与第二预设质量成比例的掺杂剂。
9.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如权利要求1至6中任一项所述的掺杂方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如权利要求1至6中任一项所述的掺杂方法的步骤。