1.基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，
步骤1：对cu(111)衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，以去除表面的杂质，得到洁净的cu(111)衬底；
步骤2：对cu(111)衬底进行氧化处理，得到氧化层cu2o(111)衬底；
步骤3：以黑磷为前驱体，在cu2o(111)衬底上用分子束外延的方法沉积磷原子，得到p/cu2o(111)；
步骤4：对p/cu2o(111)进行升温以退火，得到大面积均匀单层蓝磷表面。
2.根据权利要求1所述的基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，其特征在于：步骤1所述氩离子刻蚀时间为12-15min，且保持氩气气压为1.5×10-5mbar，能量为1.5kev。
3.根据权利要求1所述的基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，其特征在于：步骤1所述退火处理，具体操作过程为将氩离子刻蚀后的衬底，缓慢加热至650-700k并维持1-2min，至表面洁净。
4.根据权利要求1所述的基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，其特征在于：步骤2所述氧化处理具体操作过程为，维持衬底于温度650k，氧气气压为5×10-7mbar中5min，得到cu2o(111)衬底。
5.根据权利要求1所述的基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，其特征在于：步骤3中，将黑磷源加热至260℃，衬底加热至360k，在cu2o(111)衬底上分子束外延沉积磷原子3min，得到p/cu2o(111)。
6.根据权利要求1所述的基于分子束外延生长大面积高稳定单层蓝磷烯的制备方法，其特征在于：步骤4所述退火过程为将p/cu2o(111)缓慢加热至590k，并维持20-25min。