高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法与流程

本发明涉及陶瓷工艺的技术领域，尤其是指一种高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法。

背景技术：

氧化锆陶瓷具有强度高、硬度大、耐磨、抗腐蚀、自润滑、耐高温、高温导电，另外氧化锆陶瓷热膨胀系数与金属接近、氧化锆相变体积效应大等特性，被广泛应用各个领域，如刀具、模具、阀门、高级耐火材料、氧传感器、固体燃料电池、高温电极、高温热敏陶瓷、无机颜料、高温陶瓷釉料等。氧化锆陶瓷除了上述特性外，还因其质地高贵、色泽温润如玉等，而成为倍受青睐的外观壳体材料。

目前市面上氧化锆陶瓷制品多由单一材料制成，即其为单层结构，而摩尔数比不同的稳定氧化锆材料制成的氧化锆陶瓷制品性能上也有所差异，基于各方面因素的考虑，一般会选用各方面性能较为均衡的氧化锆陶瓷制品，但这样也导致氧化锆陶瓷制品各方面的性能不够突出，如应用在手机背板上的氧化锆陶瓷制品，抗冲击性能不够突出容易导致手机受碰撞或掉落时手机背板直接碎裂，无法让消费者放心使用，且手机背板价格较贵，造成资源严重浪费。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种抗冲击性能强的高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为1%至2.5%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.05至0.2mm的x层；

步骤二：将摩尔数比为2.5%至4%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.4至0.6mm的y1层；

步骤三：将摩尔数比为2.5%至4%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.4至0.6mm的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至t1，所需时间为260至350分钟，t1的温度为80至110摄氏度；

b：所述排胶设备内的温度升高至t1+80摄氏度至t1+120摄氏度，所需时间为280至400分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至t1+200摄氏度至t1+250摄氏度，所需时间为900至1100分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至t1+340摄氏度至t1+380摄氏度，所需时间为1400至1700分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在t1+340摄氏度至t1+380摄氏度，持续时间为30至100分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至t1+410摄氏度至t1+440摄氏度，所需时间为280至400分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至t1+470摄氏度至t1+510摄氏度，所需时间为60至140分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至t1+520摄氏度至t1+580摄氏度，所需时间为40至100分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在t1+520摄氏度至t1+580摄氏度，持续时间为40至100分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体。

优选的，所述步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的升温情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至t1，所需时间为280至340分钟，t1的温度为90至110摄氏度；

b：所述排胶设备内的温度升高至t1+80摄氏度至t1+110摄氏度，所需时间为300至370分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至t1+200摄氏度至t1+240摄氏度，所需时间为920至1000分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至t1+360摄氏度至t1+380摄氏度，所需时间为1400至1700分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在t1+360摄氏度至t1+380摄氏度，持续时间为30至80分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至t1+410摄氏度至t1+430摄氏度，所需时间为300至380分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至t1+480摄氏度至t1+510摄氏度，所需时间为60至120分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至t1+530摄氏度至t1+570摄氏度，所需时间为50至100分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在t1+530摄氏度至t1+570摄氏度，持续时间为40至80分钟。

优选的，所述步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的升温情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至t1，所需时间为280至310分钟，t1的温度为90至110摄氏度；

b：所述排胶设备内的温度升高至t1+85摄氏度至t1+105摄氏度，所需时间为320至370分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至t1+220摄氏度至t1+240摄氏度，所需时间为920至980分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至t1+370摄氏度至t1+380摄氏度，所需时间为1400至1600分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在t1+370摄氏度至t1+380摄氏度，持续时间为40至70分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至t1+360摄氏度至t1+380摄氏度，所需时间为340至380分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至t1+490摄氏度至t1+510摄氏度，所需时间为70至100分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至t1+530摄氏度至t1+560摄氏度，所需时间为50至80分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在t1+530摄氏度至t1+560摄氏度，持续时间为40至80分钟。

优选的，所述步骤一中的成型加工为干压、流延、凝胶、注塑、轧膜、干袋式等静压、喷涂、丝网印刷中的任意一种；所述步骤二中的成型加工为干压、流延、凝胶、注塑、轧膜、干袋式等静压、喷涂、丝网印刷中的任意一种；所述步骤三中的成型加工为干压、流延、凝胶、注塑、轧膜、干袋式等静压、喷涂、丝网印刷中的任意一种。

优选的，所述步骤五中的包封处理为将完成步骤四的生坯放入包封袋中进行真空包封。

优选的，所述步骤六中等静压处理的加工参数为：压强为100至130兆帕，保压时间为5至20分钟，水温为68至85度。

优选的，所述步骤六中的等静压处理为冷等静压处理或温等静压处理。

优选的，完成所述步骤八的陶瓷复合体的厚度为0.28至0.6mm。

优选的，还包括步骤九：将完成步骤八的陶瓷复合体进行切割处理、研磨处理、抛光处理以及镀膜处理。

本发明的有益效果在于：本发明提供了一种高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，充分利用y1层与y2层硬度大韧性小以及x层硬度小韧性大的特点，将y1层和y2层分别设于x层的上下两端，这样加工形成的陶瓷复合体表面层具有较强的抗冲击性能，同时中间层也具有一定的韧性，用于吸收陶瓷复合体受到冲击时的能量，减少了陶瓷复合体脆性断裂的可能性，当应用在手机背板时，较强的抗冲击性能能够有效防止手机背板受到冲击时断裂的现象发生。

附图说明

图1为本发明高抗冲击性能的陶瓷复合体的结构示意图。

图2为本发明高抗冲击性能的陶瓷复合体中排胶设备加工温度变化曲线图。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。

如图1至图2所示，高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为1%至2.5%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.05至0.2mm的x层；

步骤二：将摩尔数比为2.5%至4%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.4至0.6mm的y1层；

步骤三：将摩尔数比为2.5%至4%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.4至0.6mm的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至t1，所需时间为260至350分钟，t1的温度为80至110摄氏度；

b：所述排胶设备内的温度升高至t1+80摄氏度至t1+120摄氏度，所需时间为280至400分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至t1+200摄氏度至t1+250摄氏度，所需时间为900至1100分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至t1+340摄氏度至t1+380摄氏度，所需时间为1400至1700分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在t1+340摄氏度至t1+380摄氏度，持续时间为30至100分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至t1+410摄氏度至t1+440摄氏度，所需时间为280至400分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至t1+470摄氏度至t1+510摄氏度，所需时间为60至140分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至t1+520摄氏度至t1+580摄氏度，所需时间为40至100分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在t1+520摄氏度至t1+580摄氏度，持续时间为40至100分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体。

优选的，所述y1层与y2层可预先单独通过成型加工（干压、流延、凝胶、注塑、轧膜、干袋式等静压、喷涂、丝网印刷中的任意一种）制成，也可在x层上直接加工y1层与y2层，即在x层的上下两端表面直接通过成型加工（干压、流延、凝胶、注塑、轧膜、干袋式等静压、喷涂、丝网印刷中的任意一种）制得y1层与y2层。

一般的通过本发明制成的陶瓷复合体中，x层占陶瓷复合体总厚度的2%至95%，而当陶瓷复合体应用在手机背板上时，x层占陶瓷复合体总厚度为5%至25%，当然也可根据实际需求看，将本发明的陶瓷复合体应用在其它产品上。

优选的，所述排胶设备为排胶炉，所述烧结设备为烧结炉，另外排胶处理与烧结处理可通过排烧一体隧道炉进行加工。

优选的，用于制备稳定氧化锆材料中的稳定剂可为氧化钇、氧化铈、氧化钙、氧化镁中的任意一种或多种；若制备陶瓷复合体采用氧化钇稳定氧化锆时，该氧化钇稳定氧化锆为黑色氧化钇稳定氧化锆。

本实施例中，所述步骤一中的成型加工为干压、流延、凝胶、注塑、轧膜、干袋式等静压、喷涂、丝网印刷中的任意一种；所述步骤二中的成型加工为干压、流延、凝胶、注塑、轧膜、干袋式等静压、喷涂、丝网印刷中的任意一种；所述步骤三中的成型加工为干压、流延、凝胶、注塑、轧膜、干袋式等静压、喷涂、丝网印刷中的任意一种。

本实施例中，所述步骤五中的包封处理为将完成步骤四的生坯放入包封袋中进行真空包封。

本实施例中，所述步骤六中等静压处理的加工参数为：压强为100至130兆帕，保压时间为5至20分钟，水温为68至85度。

本实施例中，所述步骤六中的等静压处理为冷等静压处理或温等静压处理。

本实施例中，完成所述步骤八的陶瓷复合体的厚度为0.28至0.6mm。

本实施例中，还包括步骤九：将完成步骤八的陶瓷复合体进行切割处理、研磨处理、抛光处理以及镀膜处理。

充分利用y1层与y2层硬度大韧性小以及x层硬度小韧性大的特点，将y1层和y2层分别设于x层的上下两端，这样加工形成的陶瓷复合体表面层具有较强的抗冲击性能，同时中间层也具有一定的韧性，用于吸收陶瓷复合体受到冲击时的能量，减少了陶瓷复合体脆性断裂的可能性，当应用在手机背板时，较强的抗冲击性能能够有效防止手机背板受到冲击时断裂的现象发生。

实施例一：高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为1%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.05的x层；

步骤二：将摩尔数比为2.5%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.4的y1层；

步骤三：将摩尔数比为2.5%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.4的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理，等静压处理的加工参数为：压强为100兆帕，保压时间为5分钟，水温为68度；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至80摄氏度，所需时间为260分钟；

b：所述排胶设备内的温度升高至160摄氏度，所需时间为280分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至280摄氏度，所需时间为900分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至420摄氏度，所需时间为1400分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在420摄氏度，持续时间为30分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至490摄氏度，所需时间为280分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至550摄氏度，所需时间为60分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至600摄氏度，所需时间为40分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在600摄氏度，持续时间为40分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体，陶瓷复合体的厚度为0.28mm。

实施例二：高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为1.6%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.08mm的x层；

步骤二：将摩尔数比为2.7%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.45mm的y1层；

步骤三：将摩尔数比为2.8%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.47mm的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理，等静压处理的加工参数为：压强为109兆帕，保压时间为7分钟，水温为72度；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至90摄氏度，所需时间为290分钟，；

b：所述排胶设备内的温度升高至170摄氏度，所需时间为320分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至300摄氏度，所需时间为950分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至440摄氏度，所需时间为1470分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在440摄氏度，持续时间为50分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至500摄氏度，所需时间为300分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至570摄氏度，所需时间为80分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至620摄氏度，所需时间为60分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在620摄氏度，持续时间为50分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体，陶瓷复合体的厚度为0.37mm。

实施例三：高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为2%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.12mm的x层；

步骤二：将摩尔数比为3%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.5mm的y1层；

步骤三：将摩尔数比为3.2%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.51mm的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理，等静压处理的加工参数为：压强为118兆帕，保压时间为10分钟，水温为76度；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至100摄氏度，所需时间为320分钟，；

b：所述排胶设备内的温度升高至200摄氏度，所需时间为360分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至320摄氏度，所需时间为980分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至470摄氏度，所需时间为1550分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在470摄氏度，持续时间为70分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至530摄氏度，所需时间为360分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至580摄氏度，所需时间为100分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至650摄氏度，所需时间为70分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在650摄氏度，持续时间为60分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体，陶瓷复合体的厚度为0.44mm。

实施例四：高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为2.2%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.17mm的x层；

步骤二：将摩尔数比为3.6%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.55mm的y1层；

步骤三：将摩尔数比3.8%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.55mm的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理，等静压处理的加工参数为：压强为127兆帕，保压时间为15分钟，水温为83度；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至106摄氏度，所需时间为340分钟；

b：所述排胶设备内的温度升高至220摄氏度，所需时间为380分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至340摄氏度，所需时间为1060分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至480摄氏度，所需时间为1630分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在480摄氏度，持续时间为88分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至540摄氏度，所需时间为390分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至600摄氏度，所需时间为120分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至680摄氏度，所需时间为90分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在680摄氏度，持续时间为80分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体，陶瓷复合体的厚度为0.56mm。

实施例五：高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为2.5%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.2mm的x层；

步骤二：将摩尔数比为4%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.6mm的y1层；

步骤三：将摩尔数比为4%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.6mm的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理，等静压处理的加工参数为：压强为130兆帕，保压时间为20分钟，水温为85度；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至110摄氏度，所需时间为350分钟；

b：所述排胶设备内的温度升高至230摄氏度，所需时间为400分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至360摄氏度，所需时间为1100分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至490摄氏度，所需时间为1700分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在490摄氏度，持续时间为100分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至550摄氏度，所需时间为400分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至620摄氏度，所需时间为140分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至690摄氏度，所需时间为100分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在690摄氏度，持续时间为100分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体，陶瓷复合体的厚度为0.6mm。

对比例1：高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为0.5%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.02mm的x层；

步骤二：将摩尔数比为1%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.26mm的y1层；

步骤三：将摩尔数比为1.3%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.2mm的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理，等静压处理的加工参数为：压强为80兆帕，保压时间为2分钟，水温为55度；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至65摄氏度，所需时间为200分钟；

b：所述排胶设备内的温度升高至90摄氏度，所需时间为220分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至220摄氏度，所需时间为820分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至350摄氏度，所需时间为1300分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在350摄氏度，持续时间为10分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至450摄氏度，所需时间为200分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至480摄氏度，所需时间为44分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至520摄氏度，所需时间为20分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在520摄氏度，持续时间为20分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体，陶瓷复合体的厚度为0.1mm。

对比例2：高抗冲击性能的陶瓷复合体制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤一：将摩尔数比为4%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.3mm的x层；

步骤二：将摩尔数比为5.2%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.88mm的y1层；

步骤三：将摩尔数比为5%的稳定氧化锆通过成型加工制得厚度为0.79mm的y2层；

步骤四：将上述y1层、x层、y2层从上至下依次层叠设置形成生坯；

步骤五：对完成步骤四的生坯进行包封处理；

步骤六：将完成步骤五的生坯移入等静压设备中进行等静压处理，等静压处理的加工参数为：压强为144兆帕，保压时间为30分钟，水温为100度；

步骤七：将完成步骤六的生坯移入排胶设备进行排胶处理，排胶设备的加工温度变化情况为：

a：所述排胶设备内的温度升高至130摄氏度，所需时间为420分钟；

b：所述排胶设备内的温度升高至300摄氏度，所需时间为460分钟；

c：所述排胶设备内的温度升高至440摄氏度，所需时间为1200分钟；

d：所述排胶设备内的温度升高至550摄氏度，所需时间为1790分钟；

e：所述排胶设备内的温度维持在550摄氏度，持续时间为140分钟；

f：所述排胶设备内的温度升高至630摄氏度，所需时间为520分钟；

g：所述排胶设备内的温度升高至700摄氏度，所需时间为160分钟；

h：所述排胶设备内的温度升高至770摄氏度，所需时间为170分钟；

i：所述排胶设备内的温度维持在770摄氏度，持续时间为160分钟；

步骤八：将完成步骤七的生坯移入烧结设备进行烧结处理，得到陶瓷复合体，陶瓷复合体的厚度为1mm。

维氏硬度测试：采用一个相对面间夹角为136度的金刚石正棱锥体压头，在规定载荷f作用下压入被测试样表面，保持定时间后卸除载荷，测量压痕对角线长度d，进而计算出压痕表面积，最后求出压痕表面积上的平均压力，即为金属的维氏硬度值；抗落球冲击性能测试：将32g的钢球从不同的高度下落，查看陶瓷复合体出现断裂情况时的钢球下落高度；断裂韧性测试：采用压痕法对实施例一至实施例五以及对比例一和对比例二的断裂韧性进行测试。测试结果如表一。

表一：维氏硬度、抗落球冲击性能、断裂韧性对比：

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表二：本发明陶瓷复合体与2%的稳定氧化锆和3%的稳定氧化锆抗落球冲击性能对比：

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结合表一和表二的测试数据可得，本发明制备的陶瓷复合体相对于对比例1、对比例2、2%的稳定氧化锆以及3%的稳定氧化锆在抗冲击性能上都具有较大的提升，当本发明的陶瓷复合体应用在手机背板上时，相对于目前市面上常用的玻璃，抗冲击性能得到较大的提升，对于长期在高空作业或手机经常摔落的用户而言，手机背板结构强度得到有效的保证，且由表一可知，如一味增加稳定氧化锆的摩尔数比，将导致陶瓷复合体的断裂韧性降低，即导致陶瓷复合体受压时变形力降低，制备得到的成品无法让消费者安心使用，同时在制备过程中也带来更大的时间支出以及成本的大幅提高，得不偿失。

如有术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含包括一个或者多个该特征，在本发明描述中，“数个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

以上所述实施例仅表达了本发明的若干实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。