1.一种微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷为镁钙钛基纳米陶瓷，所述镁钙钛基纳米陶瓷为mo掺杂的mg0.964ca0.336tio3，其化学组成的表达方式为(ⅰ)：mg0.964ca0.336tio3-xmo(ⅰ)；
其中，所述mo为la2/3o、al2/3o、zno、ceo、smo、mno、coo中至少一种；
所述mg0.964ca0.336tio3与所述mo的摩尔比为1：x；
x为0.001～0.05。
2.如权利要求1所述微波介质陶瓷，其特征在于，所述mo为zno，且x为0.01～0.05；或
所述mo为la2o3，且x为0.001～0.03；或
所述mo为al2o3，且x为0.001～0.04；或
所述mo为mno，且x为0.001～0.005。
3.如权利要求1或2所述微波介质陶瓷，其特征在于，所述镁钙钛基纳米陶瓷粉体粒径为100～300nm。
4.如权利要求1～3任一项所述微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1.以纯度99％以上的镁源、钙源、钛源和络合剂为起始原料，将上述起始原料溶解于去离子水中，形成溶液，加入m源，溶解形成混合溶液；其中，所述m源中的m为金属离子，且所述m选自la3+、al3+、zn2+、ce2+、sm2+、mn2+、co2+中至少一种；
s2.调节步骤s1的混合溶液的ph值为5～8并持续混匀处理，形成透明溶胶；
s3.将步骤s2配制的透明溶胶进行烘干处理，直至形成干凝胶；
s4.将步骤s3获得的干凝胶进行预烧，得到镁钙钛基纳米陶瓷的前驱体粉末；
s5.向步骤s4合成的镁钙钛基纳米陶瓷前驱体粉末加入分散剂、脱模剂、粘结剂进行造粒和压制成型，获得成型坯料；
s6.将步骤s5中获得的成型坯料进行烧结，制备得到镁钙钛基纳米陶瓷，所述镁钙钛基纳米陶瓷为mo掺杂的mg0.964ca0.336tio3，其化学组成的表达方式为(ⅰ)：mg0.964ca0.336tio3-xmo(ⅰ)；
所述镁钙钛基纳米陶瓷组分摩尔份量比为：mg0.964ca0.336tio3：mo＝1：x；
其中，所述mo为la2/3o、al2/3o、zno、ceo、smo、mno、coo中至少一种；
x为0.001～0.05。
5.如权利要求4所述微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述络合剂的摩尔含量与所述m源中的金属离子的总摩尔比为(1.5～1.8):1。
6.如权利要求4所述微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤s2中，在温度为60～80℃的条件下，调节步骤s1的混合溶液的ph值为5～8并持续混匀处理，形成透明溶胶。
7.如权利要求4所述微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述烘干处理的温度为150～180℃。
8.如权利要求4所述微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤s4中，所述预烧的工艺参数为：预烧温度为600～800℃，预烧时间为1～2小时；所述镁钙钛基纳米陶瓷的前驱体粉末粒径为50～500nm。
9.如权利要求4所述微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤s6中，所述烧结的工艺参数为：烧结温度为1250～1350℃，烧结时间为3～6小时。
10.一种5g基站，其特征在于，所述5g基站的材料包括权利要求1至3任一项所述的微波介质陶瓷。