技术总结
本发明公开了一种高电阻率、高压电活性钛酸铋钙基高温压电陶瓷及其制备方法，采用CaBi4Ti4O15体系压电材料为基础，在Ti位按照一定的摩尔比掺入Mn、Ta，采用固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料，该压电陶瓷材料的通式为CaBi4Ti4‑x(Mn1/3Ta2/3)xO12，其中0<x≤0.1。与现有技术相比，本发明获得的压电陶瓷材料，主要性能参数d33＝24pC/N，TC＝793℃，在400℃时，ρ＝9.63×107Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。
技术研发人员：郑鹏;刘洋;白王峰;郑辉;郑梁;张阳
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2019.11.12
技术公布日：2020.01.17