技术总结
本发明涉及(In)GaN纳米柱、能源与催化领域，具体公开了一种GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用。该GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱包括衬底、衬底上的InGaAsN缓冲层层、生长在InGaAsN层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用GaAs作为(In)GaN纳米柱衬底，显著提高了纳米柱电极的导电性，有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；与此同时，新型的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
技术研发人员：李国强;林静;余粤锋;张志杰
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2019.12.10
技术公布日：2020.04.28