一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统的制作方法

文档序号:20858536发布日期:2020-05-22 21:23阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统,其特征在于:包含一备一用两个吸附反应器、相应的切换阀门、相应的管路、再生气加热器、再生气冷却器和控制系统;所述吸附反应器分别装填有两种填料,从原料气的流入侧向流出侧依次填充脱氧剂和镍催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统,其特征在于:吸附反应器进气口通过原料气输入管路和切换阀门与原料气入口连接,吸附反应器出气口通过产品气输出管路和切换阀门与产品气出口连接;原料气输入管路上旁路连通再生气输出管路,再生气输出管路上安装有再生气冷却器和切换阀门,再生气输出管路连通放气口;产品气输出管路旁路连接再生气输入管路,再生气输入管路上安装有再生气加热器和切换阀门。

3.根据权利要求2所述的一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统,其特征在于:所述再生气输入管路通过管路连接氢气入口,且管路上安装有氢气入口阀。

4.根据权利要求1所述的一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统,其特征在于:所述切换阀门采用电子级隔膜阀或波纹管阀。

5.根据权利要求1所述的一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统,其特征在于:所述镍催化剂和脱氧剂的填充体积比va/vb=0.1~0.6。

6.根据权利要求1所述的一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统,其特征在于:所述镍催化剂和脱氧剂的填充体积比va/vb=0.2~0.4。

7.根据权利要求1所述的一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统,其特征在于:所述吸附反应器床层上设置有测温点,控制系统包括cpu中央控制单元,cup中央控制单元分别与流量开关、压力传感器、温度传感器、继电器、接触器、显示面板连接。


技术总结
本实用新型涉及导体芯片制造领域中使用的大宗气体的纯化。一种基于常温吸附工艺的超纯气体纯化系统,包含一备一用两个吸附反应器、相应的切换阀门、相应的管路、再生气加热器、再生气冷却器和控制系统;所述吸附反应器分别装填有两种填料,从原料气的流入侧向流出侧依次填充脱氧剂和镍催化剂。工艺简单,一步法除杂,且镍催化剂的成本远高于所述脱氧剂的成本,脱氧剂对氧、水、二氧化碳的吸附容量大于镍催化剂,原料气首先经过脱氧剂的纯化,将原料中的ppm级的杂质先行脱除到10ppb,之后再经过镍催化剂,镍催化剂只需要装填用于脱除10ppb杂质所需的吸附量即可,因此可以减少高成本的镍催化剂的装填量,降低纯化成本。

技术研发人员:侯鹏;李文强;韩江江;张文刚;皮山丹;田维峰;李文豪
受保护的技术使用者:大连华邦化学有限公司
技术研发日:2019.03.18
技术公布日:2020.05.22
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