1.一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构，其特征在于：所述籽晶层结构包括沿水平方向间隔排布在坩埚底部的第一籽晶、设置在相邻所述第一籽晶之间的第二籽晶，所述第一籽晶、第二籽晶相互拼接，且所述第二籽晶的底部与坩埚的底壁之间形成有间隙。
2.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述间隙的高度大于等于1mm，且所述间隙的高度不超过3mm。
3.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第一籽晶形成有拼接部及位于所述拼接部下方的基部，所述拼接部形成有第一拼接面，所述基部形成有连接至所述第一拼接面的支撑面；所述第二籽晶形成有向下抵压在所述支撑面上的抵压部，所述抵压部还具有与所述第一拼接面配合相接的第二拼接面。
4.根据权利要求3所述的籽晶层结构，其特征在于：所述支撑面呈水平设置；所述第一拼接面沿竖直方向连接在所述支撑面与所述拼接部的顶面之间。
5.根据权利要求3所述的籽晶层结构，其特征在于：所述支撑面自与所述第一拼接面相邻的一侧向外并向上倾斜延伸。
6.根据权利要求5所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第一拼接面自与所述支撑面相邻的一侧向上并朝外倾斜延伸，所述第一拼接面与所述支撑面的夹角设置为60～75°。
7.根据权利要求3所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第二籽晶还形成有向下探伸至相邻所述第一籽晶的基部之间并与所述基部的侧面配合相接的延伸部。
8.根据权利要求3所述的籽晶层结构，其特征在于：所述拼接部的高度大于所述基部的高度。
9.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第一籽晶与第二籽晶的顶面相平齐。
10.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述第一籽晶设置为方块籽晶，且所述第一籽晶的四周均设置呈台阶状。
11.根据权利要求1所述的籽晶层结构，其特征在于：所述籽晶层结构还包括边缘籽晶，所述边缘籽晶设置呈倒l型。
12.根据权利要求11所述的籽晶层结构，其特征在于：相邻所述边缘籽晶的接缝偏离所述间隙。