1.用于制备涂覆的玻璃基材的化学气相沉积方法，
所述方法包括按顺序的至少以下步骤：
a)提供具有表面的玻璃基材，
b)在玻璃基材的表面上沉积基于sico和/或sino的层，
c)将基于sico和/或sino的层暴露于包含水的气态混合物(i)，和
d)随后在基于sico和/或sino的层上方沉积基于tco的层。
2.根据权利要求1的方法，其中在步骤c)中将基于sico和/或sino的层暴露于包含水的气态混合物(i)，从而将氧化物离子引入基于sico和/或sino的层中。
3.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中在没有将另外的层积到基于sico和/或sino的层上的情况下进行步骤c)。
4.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述气态混合物(i)还包含氧。
5.根据前述权利要求中任一项的方法，其中在步骤c)和d)之间，将基于sico和/或sino的层暴露于包含氧的气态混合物(iii)。
6.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述气态混合物(i)包含按体积计至少1.5：1，优选按体积计至少3：1的水与氧的比例。
7.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述气态混合物(i)包含按体积计25％至65％的水和按体积计2％至20％的氧。
8.根据前述权利要求中任一项的方法，其中在步骤c)中以至少50slm(标准升/分钟)，优选至少100slm，更优选至少150slm，最优选地至少190slm；但优选至多350slm，更优选至多300slm，甚至更优选至多250slm，最优选至多210slm的流量输送水。
9.根据权利要求4、6或7中任一项的方法，其中在步骤c)中，以至少15slm，更优选至少20slm，甚至更优选至少25slm，最优选至少30slm；但优选至多55slm，更优选至多50slm，甚至更优选至多45slm，最优选至多40slm的流量输送氧。
10.根据前述权利要求中任一项的方法，其中步骤b)在非氧化氛围中进行。
11.根据前述权利要求中任一项的方法，其中步骤b)、c)和d)全部在金属液槽中进行。
12.根据前述权利要求中任一项的方法，其中通过将所述玻璃基材的表面暴露于包含硅源、碳源和氧源的气态混合物(ii)中来进行步骤b)。
13.根据前述权利要求中任一项的方法，其中将基于tco的层直接沉积在基于sico的层上。
14.根据前述权利要求中任一项的方法，其中当所述透明玻璃基材处于至少640℃，更优选至少670℃，但是优选至多760℃，更优选至多740℃的温度下时，进行步骤c)。
15.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述涂覆的玻璃基材显示出至多21欧姆/平方，优选至多20欧姆/平方，但优选至少5欧姆/平方，更优选至少10欧姆/平方的薄层电阻。
16.根据前述权利要求中任一项的方法，其中当根据astmd1003-13进行测试时，所述涂覆的玻璃基材显示出至少0.5％，优选至少0.8％，更优选至少1％，最优选至少1.2％，但优选至多5％，更优选至多3％，甚至更优选至多2.5％，最优选至多2.3％的雾度。
17.使用水和任选氧来降低由通过实施任何前述权利要求的方法制备的涂覆的玻璃基材所显示的薄层电阻的用途。