惰性气氛下一步法制备高纯相Ti4O7纳米材料的方法与流程

文档序号:20676148发布日期:2020-05-08 17:51阅读:1008来源:国知局
惰性气氛下一步法制备高纯相Ti4O7纳米材料的方法与流程

本发明属于材料科学技术领域,具体涉及一种惰性气氛下一步法制备高纯相ti4o7纳米材料的方法。



背景技术:

magnéli相氧化钛,又称亚氧化钛,是一系列非化学计量氧化钛的统称,具有通式tino2n-1。其基于金红石型tio2晶格结构,每n层失去一个氧原子,八面体的二维链成面共用,形成有序的平面氧缺陷。

近年来,magnéli相氧化钛受到国内外的广泛关注,由于其具有高导电性和化学稳定性,以及强的耐腐蚀性,使其在惰性电极、her、orr、nrr、燃料电池和锂电池等领域具有很大的应用价值。在magnéli的所有相中,ti4o7具有最高的导电性(1500s/m),远高于石墨材料。这使得ti4o7成为了最具有潜在应用价值的亚氧化钛,作为可替代石墨烯的一种电极材料,用于提高电池的稳定性和寿命。

现有制备ti4o7的方法中均以tio2为前驱体,将前驱体与还原剂混合进行反应,反应结束后,为了有效分离剩余的还原剂与产物,需要对烧结后的产物和还原剂混合物进行后续处理,从而使得整个制备过程较为复杂,且由于tio2为锐钛矿或金红石晶体结构,要使它转化为magnéli相三斜晶系结构,需要的能量很大,不易转化。此外,有文献采用氢气作为还原剂,虽然能够避免剩余还原剂与产物无法有效分离的问题,但是氢气在高温下存在安全隐患。



技术实现要素:

针对现有技术中存在的以tio2为前驱体,要使它转化为magnéli相三斜晶系结构,需要的能量很大,不易转化,且制备过程复杂的问题,而提供一种惰性气氛下一步法制备高纯相ti4o7纳米材料的方法,该制备方法可实现一步法制备高纯相ti4o7,且能耗低,避免了高温下采用氢气作为还原剂而存在的安全隐患。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种惰性气氛下一步法制备高纯相ti4o7纳米材料的方法,以偏钛酸为前驱体,将偏钛酸前驱体与碳粉混合后置于密闭的反应器中煅烧,向反应器内通入惰性气体,先于第一温度800~950℃下保温,再于第二温度950~1300℃下保温,即可得到高纯相ti4o7。

进一步,碳粉占前驱体与碳粉总量的1.3~15wt%。

进一步,所述偏钛酸前驱体的制备方法为:

(1)将钛白粉溶于3~10m碱性溶液中,搅拌3~6h形成均一的胶体,并置于温度为120~200℃下,反应3~24h,过滤,得到沉淀物;

(2)对上述沉淀物进行水洗,直至溶液呈中性;

(3)向步骤(2)的溶液中加入0.05~2m酸性溶液,调节溶液的ph值至0.1~1,搅拌反应5~24h,离心,干燥,获得偏钛酸前驱体。

进一步,所述碱性溶液为koh、naoh或ca(oh)2,所述酸性溶液为h2so4、hcl或hf。

进一步,所述碳粉为木炭粉、石墨碳或活性炭。

进一步,先以5~10℃/min的速率升温至所述第一温度,保温3~6h,再以1~5℃/min的速率升温至所述第二温度,保温5~12h。

进一步,所述惰性气体的流量控制在30~70sccm。

进一步,所述反应器为管式炉。

进一步,所述惰性气体为n2、ar或he。

本发明的化学反应式为:

其反应机理为:本发明以偏钛酸为前驱体,以碳粉为还原剂。通过偏钛酸在高温条件下钛氧键会断裂,生成高纯相ti4o7,而氧和还原剂生成co或co2,在气流的作用下,水蒸气和还原后生成的气体会排出。

与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:

(1)本发明采用偏钛酸为前驱体,相比于现有的采用tio2为前驱体,偏钛酸是从无定型状态转化为magnéli相三斜晶系,从动力学角度,采用偏钛酸作为前驱体更容易合成出高纯相ti4o7,且本发明采用碳粉为还原剂,在反应后碳粉会转化成co或co2溢出,而自动消除,无需进行后续的分离步骤,可实现一步法制备,大大简化了制备步骤,提高了产物的纯度。

(2)本发明以碳粉为还原剂,价格低廉,且可避免现有技术中因采用氢气作为还原剂,而在高温下存在安全隐患的问题。

(3)本发明提供的制备方法对设备要求低,能耗大大降低,可实现工业化生产。

附图说明

图1为本发明合成的高纯相ti4o7的xrd图;

图2为本发明合成的高纯相ti4o7的高倍和低倍sem图;

图3为本发明合成的高纯相ti4o7的edsmapping图;

图4为本发明合成的高纯相ti4o7的eds图;

图5为本发明合成的高纯相ti4o7的hrtem图。

具体实施方式

下面结合具体实施例,对本发明方法进行详细说明。本发明中1m=1mol/l。

实施例1

一种惰性气氛下一步法制备高纯相ti4o7纳米材料的方法,其具体的制备步骤为:

以偏钛酸为前驱体,将偏钛酸前驱体与还原剂木炭粉以重量比为98.7:1.3。混合后放入反应舟中,再将反应舟置于密闭的管式炉中煅烧,向管式炉内通入n2,控制n2的流量为30sccm,先以5℃/min的速率升温至第一温度800℃下保温时间5h,再以1℃/min的速率升温至第二温度950℃下保温时间10h,即可得到高纯相ti4o7。

其中,本实施例采用的偏钛酸为市售的偏钛酸,厂家为郑州启辰化工产品有限公司。

实施例2

一种惰性气氛下一步法制备高纯相ti4o7纳米材料的方法,包括如下步骤:

(1)将钛白粉溶于3mkoh中,搅拌6h形成均一的胶体,然后将上述胶体溶液倒入聚四氟乙烯高压反应釜中,并将反应釜置于温度为120℃烘箱内,反应24h;反应结束后,待自然冷却,经过滤,得到沉淀物;

(2)对上述制备得到的沉淀物采用去离子水进行清洗,直至溶液呈中性;

(3)向步骤(2)的溶液中加入0.05mhcl溶液,调节溶液的ph值至0.1,搅拌反应24h;将反应后的沉淀物用去离子离心清洗干净,并置于60℃下干燥12h,即获得偏钛酸前驱体。

以偏钛酸为前驱体,将偏钛酸前驱体与还原剂石墨碳以重量比为93:7。混合后放入反应舟中,再将反应舟置于密闭的管式炉中煅烧,向管式炉内通入ar,控制ar的流量为30sccm,先以10℃/min的速率升温至第一温度950℃下保温时间3h,再以5℃/min的速率升温至第二温度1300℃下保温时间5h,即可得到高纯相ti4o7。

实施例3

一种惰性气氛下一步法制备高纯相ti4o7纳米材料的方法,包括如下步骤:

(1)将钛白粉溶于10mnaoh中,搅拌3h形成均一的胶体,然后将上述胶体溶液倒入聚四氟乙烯高压反应釜中,并将反应釜置于温度为200℃烘箱内,反应3h;反应结束后,待自然冷却,经过滤,得到沉淀物;

(2)对上述制备得到的沉淀物采用去离子水进行清洗,直至溶液呈中性;

(3)向步骤(2)的溶液中加入2mh2so4溶液,调节溶液的ph值至1,搅拌反应24h;将反应后的沉淀物用去离子离心清洗干净,并置于60℃下干燥12h,即获得偏钛酸前驱体。

以偏钛酸为前驱体,将偏钛酸前驱体与还原剂活性炭以重量比为90:10。混合后放入反应舟中,再将反应舟置于密闭的管式炉中煅烧,向管式炉内通入n2,控制n2的流量为30sccm,先以7℃/min的速率升温至第一温度900℃下保温时间6h,再以3℃/min的速率升温至第二温度1200℃下保温时间12h,即可得到高纯相ti4o7。

实施例4

一种惰性气氛下一步法制备高纯相ti4o7纳米材料的方法,包括如下步骤:

(1)将钛白粉溶于6mca(oh)2溶液中,搅拌4h形成均一的胶体,然后将上述胶体溶液倒入聚四氟乙烯高压反应釜中,并将反应釜置于温度为160℃烘箱内,反应15h;反应结束后,待自然冷却,经过滤,得到沉淀物;

(2)对上述制备得到的沉淀物采用去离子水进行清洗,直至溶液呈中性;

(3)向步骤(2)的溶液中加入1mhf溶液,调节溶液的ph值至0.5,搅拌反应18h;将反应后的沉淀物用去离子离心清洗干净,并置于60℃下干燥12h,即获得偏钛酸前驱体。

以偏钛酸为前驱体,将偏钛酸前驱体与还原剂石墨碳以重量比为85:15。混合后放入反应舟中,再将反应舟置于密闭的管式炉中煅烧,向管式炉内通入he,控制he的流量为30sccm,先以8℃/min的速率升温至第一温度850℃下保温时间4.5h,再以4℃/min的速率升温至第二温度1100℃下保温时间8.5h,即可得到高纯相ti4o7。

图1为采用本发明提供的方法制备的高纯相ti4o7的xrd图,从图中可知,采用本发明提供的方法可成功合成高纯相ti4o7,属于三斜晶系,晶胞参数a=5.59,b=7.12,c=12.46。

图2为采用本发明提供的方法制备的高纯相ti4o7的高倍和低倍sem图,从图中可知,本发明制备的高纯相ti4o7比较均匀,粒径较小,属于纳米级别颗粒。

图3为采用本发明提供的方法制备的高纯相ti4o7的edsmapping图,从图中可知,钛元素在产物中均匀的分布,氧元素的分布不均匀。

图4为采用本发明提供的方法制备的高纯相ti4o7的eds图,从图中可知,本发明得到的高纯相ti4o7中只有钛和氧元素,未检测到还原剂,这表明还原剂在制备过程中彻底的自清除(生成co或co2溢出)。

图5为采用本发明提供的方法制备的高纯相ti4o7的hrtem图,从图中可知,ti4o7的晶格间距存在很多,图中标出的有0.228、0.241、0.275nm分别对应{0,3,3}、{1,-1,6}和{3,-2,5}晶面。

最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

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