1.一种用在光波导电场传感器的bgo晶体的设计方法，其特征在于：包括以下步骤：
s1：将原料bi2o3和geo2置于坩埚并加热融化，得到熔体，然后将籽晶浸入熔体，同时对熔体提拉、旋转，诱导熔体结晶得到bgo立方晶体；
s2：利用激光切割的方式将立方晶体切割成标准的bgo晶体，并对bgo晶体表面进行光学抛光；
s3：利用飞秒激光在bgo晶体的内部相邻的刻画出多条相互平行但位于不同深度的刻痕，这些刻痕组成一条第一光波导，所述第一光波导包括第一弯曲部和第一直线部；
s4：重复s3，在bgo晶体内部刻画出一条与第一光波导对称的第二光波导，所述第二光波导包括第二弯曲部和第二直线部，所述第二弯曲部和第一弯曲部连通，将第一直线部和第二直线部进行切割，在倾斜的切割断面镀上高反膜；
s5：利用激光烧蚀的方法，在第一直线部的两侧刻画互相平行的沟槽，并利用电子束喷涂的方法，在沟槽内制作au金属电极；
s6：利用有源对准技术，将光纤与第一弯曲部和第二弯曲部的连通处相耦合。
2.根据权利要求1所述的用在光波导电场传感器的bgo晶体的设计方法，其特征在于：步骤s2中，在bgo立方晶体的<110>、
3.根据权利要求1所述的用在光波导电场传感器的bgo晶体的设计方法，其特征在于：步骤s3中，飞秒激光的中心波长为800nm，重复频率为1khz，脉宽为120fs，单脉冲能量为1.68mj，扫描速率为500μm/s。
4.根据权利要求1所述的用在光波导电场传感器的bgo晶体的设计方法，其特征在于：步骤s4中，所述第一光波导和第二光波导的芯径均为8μm，开口高度均为218μm，刻画在bgo晶体表层下50～80μm处。
5.根据权利要求1所述的用在光波导电场传感器的bgo晶体的设计方法，其特征在于：步骤s4中，所述第一弯曲部和第二弯曲部的弯曲半径均为3.0975cm。
6.根据权利要求1所述的用在光波导电场传感器的bgo晶体的设计方法，其特征在于：步骤s4中，所述第一直线部和第二直线部的切割角度为4°，高反膜的折射率为0.99。
7.根据权利要求1所述的用在光波导电场传感器的bgo晶体的设计方法，其特征在于：步骤s5中，所述沟槽刻画在bgo晶体表层下50～80μm处，所述沟槽的高度为10～12μm。
8.根据权利要求1所述的用在光波导电场传感器的bgo晶体的设计方法，其特征在于：步骤s6中，所述光纤与第一弯曲部和第二弯曲部的连通处耦合时，偏差角度小于0.1°，间距小于5μm。