一种低温区低温漂的微波介质陶瓷的制作方法

文档序号:21883901发布日期:2020-08-18 17:02阅读:263来源:国知局

本发明属于一种以成分为特征的陶瓷组合物,具体涉及一种低温度区间(-40℃-25℃)低温漂(谐振频率偏差δf<±0.6mhz)微波介质陶瓷的制备方法。



背景技术:

随着5g时代的到来,物联网、卫星通信等迅速发展,人们对于移动设备的依赖程度也越来越高,5g基站受限于大规模天线集成化的要求,其核心元件滤波器需要更加小型化和集成化,传统的金属腔体滤波器已经无法满足5g需求,更易小型化的陶瓷介质滤波器有望成为主流解决方案。

在一些特定场景中,移动通信设备等通常需要长期工作在较低温度下。北欧国家常年气温较低,全年最低温度接近-40℃而且北欧拥有非常漫长的冬季,部分城市冬季平均温度-10℃左右,如何保障滤波器等关键器件在低温下能够稳定工作非常重要。陶瓷粉体对滤波器性能具有重要影响,其低温区谐振频率偏差小使得滤波器在不同温度下得以稳定工作。

由于基站天面承载数量与重量的增加,对滤波器提出了轻量化的要求;通常高介电常数可以满足滤波器尺寸小型化设计,但介电常数并不是越高越好,过高的介电常数会影响滤波器的传输损失,因此需要选用具有适当介电常数、谐振频率偏差小的微波介质陶瓷材料。

钛酸镁(mgtio3)陶瓷作为一种传统的微波介质材料,具有低介电常数、较高品质因数、价格低廉等特点。在众多陶瓷体系中,钛酸镁密度较小,相比于金属腔体滤波器,使用钛酸镁材料制成的陶瓷介质滤波器重量大大减小,但钛酸镁介电常数较低,不利于滤波器的小型化,适当提升其介电常数,将有利于满足5g基站对小型化的要求。同时,钛酸镁低温区谐振频率偏差较大,影响了工作稳定性,因此通过优化获得低温区(-40℃-25℃)低温漂(谐振频率偏差δf<±0.6mhz)温度稳定性良好、具有高品质因数、适中介电常数的陶瓷具有重大意义。



技术实现要素:

发明的目的,是克服现有mgtio3微波介质陶瓷谐振频率偏差过大的缺点,同时适当提高介电常数以满足小型化的要求。添加钙钛矿型固溶体ca0.8sr0.2tio3的mgtio3微波介质陶瓷其居里温度的峰宽较大、峰强较高,居里峰位置处在工作范围内,造成谐振频率温度系数较大。通过添加钙钛矿型固溶体laalo3,将居里峰的位置移动至远离工作范围温度,从而使工作范围温度谐振频率随温度的变化曲线更平缓,从而达到降低谐振频率偏差的目的。获得的(1-x)[(1-y)mgtio3-yca0.8sr0.2tio3]-xlaalo3体系微波介质陶瓷,其中x=0.01~0.02,y=0.06~0.07,调控体系结构稳定性,在低温区(-40℃-25℃)低温漂(谐振频率偏差δf<±0.6mhz)温度稳定性良好、具有高的品质因数(q×f:40,103~45,356ghz),同时兼具适中的介电常数(εr~22.0031~22.5808),提供一种很有前景的温度稳定型的高q值微波介质陶瓷。

本发明通过如下技术方案予以实现。

一种低温度区(-40℃-25℃)低温漂(谐振频率偏差δf<±0.6mhz)微波介质陶瓷,合成物表达式为(1-x)[(1-y)mgtio3-yca0.8sr0.2tio3]-xlaalo3体系微波介质陶瓷,其中x=0.01~0.02,y=0.06~0.07。

上述低温区低温漂中温烧结温度稳定型高q值微波介质陶瓷的制备方法,具有如下步骤:

(1)将化学原料mgo、tio2按化学计量式mgtio3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(2)将步骤(1)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干,然后过40目筛;

(3)将步骤(2)过筛后的粉料于900℃预烧,保温4小时;

(4)将化学原料caco3、srco3、tio2按化学计量式ca0.8sr0.2tio3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(5)将步骤(4)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干,然后过40目筛;

(6)将步骤(5)过筛后的粉料于1100℃预烧,保温4小时;

(7)将化学原料la2o、al2o3按化学计量式laalo3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(8)将步骤(7)球磨后的原料于100℃烘干,然后过40目筛;

(9)将步骤(8)过筛后的粉料于1250℃预烧,保温4小时;

(10)将步骤(3)、步骤(6)、步骤(9)得到的粉料按照(1-x)[(1-y)mgtio3-yca0.8sr0.2tio3]-xlaalo3,其中x=0.01~0.02,y=0.06~0.07的摩尔比配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨1小时;

(11)将步骤(10)球磨后的原料于100℃烘干,然后过40目筛;

(12)将步骤(11)过筛后的粉料,外加8wt%石蜡作为粘结剂,过80目筛进行造粒;

(13)将步骤(12)造粒后的粉料用粉末压片机以4mpa的压力制成生坯;

(14)将步骤(13)的生坯于1200℃~1300℃烧结,保温4小时,制成mgtio3基低温区低温漂的微波介质陶瓷。

所述步骤(1)(4)(7)(10)采用行星式球磨机进行球磨,球磨机转速为400转/分。

所述步骤(13)的生坯直径为10mm,厚度为5mm。

本发明添加使用ca0.8sr0.2tio3、laalo3相互调节,使得mgtio3基微波介质陶瓷在低温区(-40℃-25℃)下的谐振频率偏差δf<±0.6m,hz具有高的品质因数(q×f:40,103~45,356ghz),同时兼具适中的介电常数(εr~22.0031~22.5808),提供了一种很有前景的温度稳定型的高q值微波介质陶瓷。

具体实施方式

下面通过具体实施例对本发明作进一步描述。

实施例1

(1)将化学原料mgo、tio2按化学计量式mgtio3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(2)将步骤(1)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干,然后过40目筛;

(3)将步骤(2)过筛后的粉料放入中温炉中,于900℃预烧,保温4小时;

(4)将化学原料caco3、srco3、tio2按化学计量式ca0.8sr0.2tio3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(5)将步骤(4)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干,然后过40目筛;

(6)将步骤(5)过筛后的粉料放入中温炉中,于1100℃预烧,保温4小时;

(7)将化学原料la2o、al2o3按化学计量式laalo3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(8)将步骤(7)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干,然后过40目筛;

(9)将步骤(8)过筛后的粉料放入中温炉中,于1250℃预烧,保温4小时;

(10)将步骤(3)、步骤(6)、步骤(9)得到的粉料按照(1-x)[(1-y)mgtio3-yca0.8sr0.2tio3]-xlaalo3,其中x=0.015,y=0.07的摩尔比91.605:0.06895:0.015配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨1小时;

(11)将步骤(10)球磨后的原料放入干燥箱中,于100℃烘干,然后过40目筛;

(12)将步骤(11)过筛后的粉料,外加8wt%石蜡作为粘结剂,过80目筛进行造粒;

(13)将步骤(12)过筛后的粉料用粉末压片机以4mpa的压力制成生坯;

(14)将步骤(13)的生坯于1250℃烧结,保温4小时,制成mgtio3基低温区低温漂的微波介质陶瓷。

所述步骤(1)(4)(7)(10)采用行星式球磨机进行球磨,球磨机转速为400转/分。

所述步骤(13)的生坯直径为10mm,厚度为5mm。

实施例2

(1)将化学原料mgo、tio2按化学计量式mgtio3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(2)将步骤(1)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干,然后过40目筛;

(3)将步骤(2)过筛后的粉料放入中温炉中,于900℃预烧,保温4小时;

(4)将化学原料caco3、srco3、tio2按化学计量式ca0.8sr0.2tio3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(5)将步骤(4)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干,然后过40目筛;

(6)将步骤(5)过筛后的粉料放入中温炉中,于1100℃预烧,保温4小时;

(7)将化学原料la2o、al2o3按化学计量式laalo3进行配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨12小时;

(8)将步骤(7)球磨后的原料放入红外干燥箱中于100℃烘干,然后过40目筛;

(9)将步骤(8)过筛后的粉料放入中温炉中,于1250℃预烧,保温4小时;

(10)将步骤(3)、步骤(6)、步骤(9)得到的粉料按照(1-x)[(1-y)mgtio3-yca0.8sr0.2tio3]-xlaalo3,其中x=0.01,y=0.06的摩尔比93.06:0.0594:0.01配料,放入聚酯球磨罐中,加入去离子水和锆球后,球磨1小时;

(11)将步骤(10)球磨后的原料放入干燥箱中,于100℃烘干,然后过40目筛;

(12)将步骤(11)过筛后的粉料,外加8wt%石蜡作为粘结剂,过80目筛进行造粒;

(13)将步骤(12)过筛后的粉料用粉末压片机以4mpa的压力制成生坯;

(14)将步骤(13)的生坯于1250℃烧结,保温4小时,制成mgtio3基低温区低温漂的微波介质陶瓷。

所述步骤(1)(4)(7)(10)采用行星式球磨机进行球磨,球磨机转速为400转/分。

所述步骤(13)的生坯直径为10mm,厚度为5mm。

实施例3~6

实施例3~6与上述实施例除了组分含量之外,其余制备方法完全相同于实施例1~2。

上述具体实施例的主要工艺参数及其介电性能的测试结果详见表1。

表1

本发明提供的谐振频率温度系数近零的mgtio3基微波介质陶瓷(1-x)[(1-y)mgtio3-yca0.8sr0.2tio3]-xlaalo3,其中x=0.01~0.02,y=0.06~0.07,低温区(-40℃-25℃)低温漂(谐振频率偏差δf<±0.6mhz)温度稳定性良好,具有高品质因数,同时兼具适中的介电常数,微波介电性能优异,最佳配方和性能如下

(1-x)[(1-y)mgtio3-yca0.8sr0.2tio3]-xlaalo3,x=0.015,y=0.07;

介电常数:22.5808;

品质因数:41,326ghz;

测试频率:8.117ghz;

谐振频率偏差:-0.065mhz;

本发明并不局限于上述实施例,很多细节的变化是可能的,但这并不因此违背本发明的范围和精神。

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