一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法与流程

文档序号:22169161发布日期:2020-09-11 20:57阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种晶体纳米二氧化硅的制备方法,其特征在于,将硅源、碱和有机修饰剂按摩尔比为1:(0.05~0.2):(0.1~1)加入到反应介质中,在温度为260~380℃、压力为30~40mpa下反应30~500h,经后处理即得晶体纳米二氧化硅。

2.根据权利要求1所述晶体纳米二氧化硅的制备方法,其特征在于,所述硅源为硅酸钠、偏硅酸钠、石英砂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述晶体纳米二氧化硅的制备方法,其特征在于,所述碱为氢氧化钠、碳酸钠、碳酸氢钠中的至少一种。

4.根据权利要求1所述晶体纳米二氧化硅的制备方法,其特征在于,所述有机修饰剂为有机硅化合物。

5.根据权利要求4所述晶体纳米二氧化硅的制备方法,其特征在于,所述有机硅化合物为碳链长度是1~20的烷氧基硅烷、氯硅烷、氮硅烷或氟硅烷。

6.根据权利要求1所述晶体纳米二氧化硅的制备方法,其特征在于,所述反应介质为水和/或有机溶剂,有机溶剂为c1-c12醇、丙酮、二甲苯中的至少一种。

7.根据权利要求1所述晶体纳米二氧化硅的制备方法,其特征在于,以5~30℃/h的升温速率升温至260~380℃,后处理为洗涤和干燥。

8.权利要求1-7任一所述方法制备得到的晶体纳米二氧化硅。


技术总结
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法。所述晶体纳米二氧化硅的制备方法,包括以下步骤:将硅源、碱和有机修饰剂按摩尔比为1:(0.05~0.2):(0.1~1)加入到反应介质中,在温度为260~380℃、压力为30~40 MPa下条件反应30~500 h,经后处理即得晶体纳米二氧化硅。本发明制备的纳米二氧化硅具有完整晶型结构且修饰有有机官能团,提高了其在有机介质中的分散性,可应用于电子封装材料、机械润滑、陶瓷等行业。

技术研发人员:张治军;李小红;刘培松;高春浩
受保护的技术使用者:河南大学;河南河大纳米材料工程研究中心有限公司
技术研发日:2020.06.12
技术公布日:2020.09.11
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