1.一种方硅芯铸锭炉热场结构，其特征在于，包括：
炉体，所述炉体分为上炉体与下炉体；
隔热层，所述隔热层设置在所述炉体中；
立柱，所述立柱固定在所述下炉体上；
热交换台，所述热交换台固定在所述立柱上；
隔热板，所述隔热板设置在所述隔热层的底部，所述立柱穿过所述隔热板，所述隔热板能够在所述立柱上升降。
2.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉热场结构，其中，所述隔热层中设有加热器。
3.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉热场结构，其中，所述隔热板上设有隔热条。
4.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉热场结构，其中，所述热交换台上设有坩埚。
5.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉热场结构，其中，所述隔热层呈“∏”形。
6.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉热场结构，其中，所述坩埚内表面涂覆一层氮化硅。
7.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉热场结构，其中，所述加热器设有两组。
8.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉热场结构，其中，所述加热器的功率为0-120kw。
9.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉热场结构，其中，所述热交换台与所述隔热板之间留有间隙。
10.一种方硅芯铸锭炉热场结构的制备方法，包括：
装料：采用纯度为6n的多晶硅原料，按要求将配好的硅料摆放装入坩埚内，坩埚内表面涂覆有一层高纯保护涂层，该涂层为氮化硅，用于防止硅料与坩埚粘黏；
投炉：将装好料的坩埚放入炉内指定位置，并合炉抽空检漏，抽空至炉内压力≤0.01mbar进入检漏；
加热熔化：漏率≤0.01mbarl/5min，进入加热熔化阶段，整个加热熔化阶段底部隔热板保持闭合状态，隔绝热量散失，降低熔化能耗，功率以15～30kwh/h升至目标温度后保持，直至硅料全部由固态转化为液态；
长晶：长晶阶段底部隔热板和侧隔热条一起向下移动，逐步打开，底部隔热板打开后，热量快速从开口位置辐射散失，形成较大的纵向温度梯度，利于硅晶体定向凝固生长，而侧隔热条随底部隔热板逐步下降，会减小长晶阶段侧部热量散失，利于侧面晶体垂直生长及长晶阶段能耗的降低。进入长晶初期，底部隔热板以30～50mm/h快速打开，加热器温度以200～300℃/h快速下降；1～2h后，底部隔热板以3～10mm/h快速打开，加热器温度以0.5～10℃/h逐步降低，控制晶体生长固液界面平稳或微凸，实现晶体的垂直长晶，直至液态硅完全凝固为固体硅；
退火冷却：当所有硅料凝固结晶后，硅锭再经过1200～1370℃热退火、控制冷却方式等步骤消除热应力，以避免硅锭出现裂缝及减少位错的增殖；
出炉：整个工艺流程结束后，冷却到≤400℃温度即可开炉，取出硅锭；
⑦熔化、长晶、退火、冷却阶段，炉体内持续通入氩气进行保护，加热硅料熔化过程中氩气的进气速度为20～60l/min，在长晶过程中氩气的进气速度为40～60l/min，退火冷却阶段为10～20l/min。