一种提高单晶硅拉速的冷却装置的制作方法

文档序号:22905289发布日期:2020-11-13 12:39阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种提高单晶硅拉速的冷却装置,包括水冷内导(1)、进水管道(3)、出水管道(4),所述进水管道(3)与所述出水管道(4)相对固定设于所述水冷内导(1)的上部两侧,其特征在于:所述水冷内导(1)的内表面设置多个格栅(2)。

2.根据权利要求1所述的一种提高单晶硅拉速的冷却装置,其特征在于:所述格栅(2)沿水冷内导(1)直径方向均匀固定在水冷内导(1)的内表面。

3.根据权利要求1或2所述的一种提高单晶硅拉速的冷却装置,其特征在于:所述水冷内导(1)为上部开口大底部开口小的环状结构,所述环状结构中设有中空腔体,所述环状结构的上部相对设置有进水口和出水口,所述进水口与所述进水管道(3)固定连接,所述出水口与所述出水管道(4)固定连接。

4.根据权利要求3所述的一种提高单晶硅拉速的冷却装置,其特征在于:所述水冷内导(1)的环状结构为锥形结构。

5.根据权利要求1或2所述的一种提高单晶硅拉速的冷却装置,其特征在于:所述进水管道(3)与所述出水管道(4)下部分别设有悬挂杆(5),所述悬挂杆将所述水冷内导(1)与导流筒固定连接。


技术总结
本实用新型提供一种提高单晶硅拉速的冷却装置,包括水冷内导、进水管道、出水管道,水冷内导内表面均匀设置有格栅;进水管道与出水管道相对固定设于水冷内导的上部两侧。采用本实用新型的技术方案,可以充分利用格栅增大散热面积,提高散热速率;同时格栅的设置相当于扰流柱,格栅之间形成的窄缝通道可以提高换热系数,提高冷却效果。

技术研发人员:高润飞;勒立辉;张文霞;姚长娟;武志军
受保护的技术使用者:内蒙古中环光伏材料有限公司;天津环博科技有限责任公司
技术研发日:2020.03.05
技术公布日:2020.11.13
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