技术总结
本申请提供了一种用于减少碳化硅单晶中的碳包裹体的坩埚，通过坩埚体中SiC多晶料的上方依次设置气流匀化件和盖板。其中，气流匀化件包括平板、设置在平板上的密封盖，密封盖设置在平板中靠近盖板的一侧；平板的外周与坩埚体的内壁相接触，平板的中心开设有通孔；密封盖包括底壁以及从底壁延伸出的侧壁，侧壁上开设有多个通孔，密封盖通过其侧壁扣合在平板的通孔上。这样，在单晶生长时，SiC多晶料分解产生的气流经过平板和密封盖上的通孔后，气流的传输从原来的以对流为主的模式变成以扩散为主的模式，由于扩散模式气流传输速度相比于对流模式慢，所以碳颗粒会沉积下来，进而可以有效减少碳化硅单晶中的碳包裹体。有效减少碳化硅单晶中的碳包裹体。有效减少碳化硅单晶中的碳包裹体。
技术研发人员：徐南 于国建 王垚浩 徐现刚
受保护的技术使用者：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
技术研发日：2020.07.01
技术公布日：2021/2/28