1.一种正极材料，其特征在于，包括：
基体，以及位于所述基体表面的第一材料；所述第一材料包括p3m1结构化合物。
2.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，所述正极材料的x射线衍射图中，在12°至13°、18°至20°或32°至34°中的至少一个范围内具有衍射峰。
3.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，满足如下条件(a)至(c)中的至少一个：
(a)所述第一材料的平均粒径为100nm至5μm；
(b)所述基体包括r3m结构化合物；
(c)所述基体的平均粒径为1μm至20μm。
4.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，满足如下条件(d)至(e)中的至少一个：
(d)所述基体中含有ni元素和mn元素，所述基体中ni元素的摩尔数为n1，所述基体中mn元素的摩尔数为n2，n1/n2大于2；
(e)所述正极材料表面具有ni2+和ni3+，所述正极材料表面的ni2+的摩尔数为n3，所述正极材料表面的ni3+的摩尔数为n4，n3/n4大于1。
5.根据权利要求1所述正极材料，其特征在于，
所述p3m1结构化合物包括ni1-x1-y1-z1cox1mny1rz1(oh)2，0≤x1≤0.5，0≤y1≤0.5，0≤z1≤0.5，0≤x1+y1+z1≤0.7，其中，r包括mg、ca、sr、ba、cu、zn、s、se、fe、f、b、al、ga、in、p、si、ti、zr、y、v、nb、mo、la、ce或ta中的至少一种。
6.根据权利要求1所述正极材料，其特征在于，所述p3m1结构化合物中含有过渡金属元素me和o元素，所述p3m1结构化合物中me-o层的层间距为
7.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，所述基体包括lix2niy2coz2mnkmqob-ata，其中，m包括b、mg、al、si、p、s、ti、cr、fe、cu、zn、ga、y、zr、mo、ag、w、in、sn、pb、sb或ce中的至少一种；t包括卤素，0.2≤x2≤1.2、0≤y2≤1、0≤z2≤1、0≤k≤1、0≤q≤1、1<b≤2，0≤a≤1；可选的，0.8≤x2≤1.2、0.6≤y2≤1、0≤z2≤0.3。
8.根据权利要求1所述的正极材料，其特征在于，
所述第一材料还包括位于所述基体与所述p3m1结构化合物之间的固溶体，所述固溶体包括所述基体的元素以及所述p3m1结构化合物的元素。
9.一种电化学装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的正极材料。
10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的电化学装置。