1.一种基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)称取适量baf2原料并与不高于25wt％的去离子水进行混合；
(2)将步骤(1)所得的固液混合粉末置于圆柱体模具中，同时放入热压机中进行冷烧结，获得陶瓷生坯；
(3)将步骤(2)的陶瓷生坯置入80-200℃烘箱中烘干至恒重；
(4)将步骤(3)的陶瓷生坯放入高温烧结炉中，在700-950℃退火处理获得致密的baf2微波介质陶瓷。
2.如权利要求1所述基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，还包括步骤(5)，将步骤(4)的baf2陶瓷块体表面分别在800目、1000目、1500目砂纸上打磨，获得表面光洁的陶瓷。
3.如权利要求1所述基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，步骤(2)，冷烧结过程中控制热压机的工作温度100℃<t<200℃、压力100mpa<p<800mpa、时间0.5h<t<4h，冷烧结结束后获得初步致密的陶瓷生坯。
4.根据权利要求1-3任一项所述的基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤(1)之前，还包括：将原料baf2与氧化锆球磨介质、无水乙醇溶剂放入球磨机连续球磨获得均匀细小的baf2粉末。
5.根据权利要求4所述的基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，原料baf2、氧化锆球磨介质、无水乙醇的质量比为1：5：3。
6.根据权利要求4所述的基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，所述球磨机为行星式球磨机，转速控制在180～250r/min。
7.根据权利要求1-3任一项所述的基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，步骤(1)中，baf2原料的纯度为99.99％。
8.根据权利要求1或3所述的基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，步骤(2)中，冷烧结的升温工艺包括：以5℃/min的速度升温至设定温度。
9.根据权利要求1或2所述的基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷的方法，其特征在于，步骤(4)中，退火处理的工艺包括：以5℃/min的速度升温至950℃，退火处理3h；然后以2℃/min的速度降温至400℃，最后随炉冷却降至室温。
10.如权利要求1-9任一项所方法制得的高性能低介微波陶瓷，其特征在于，介电常数7<εr<7.3，品质因数qf值72350ghz<qf<82320ghz，谐振频率温度系数τf～–110ppm/℃。