技术特征：
1.一种外延基座，其特征在于，包括片坑和边缘侧墙，所述片坑用于盛放晶圆，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围；其中，所述外延基座上形成有多个孔状结构，所述多个孔状结构呈蜂窝状分布。2.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述孔状结构包括贯穿所述外延基座的通孔。3.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述孔状结构包括未贯穿所述外延基座的凹槽。4.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述孔状结构形成于所述边缘侧墙和/或所述片坑上。5.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述孔状结构的直径的范围为0.8mm-5mm。6.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述孔状结构之间的间距的范围为2mm-15mm。7.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述外延基座采用石墨制成。8.如权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述外延基座的表面形成有碳化硅涂层。
技术总结
本发明公开了一种外延基座，包括片坑和边缘侧墙，所述片坑用于盛放晶圆，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围；其中，所述外延基座上形成有多个孔状结构，所述多个孔状结构呈蜂窝状分布。根据本发明提供的外延基座，通过在外延基座上形成多个孔状结构，且所述多个孔状结构呈蜂窝状分布，可以改善晶圆背面的气流分布，优化温度分布，降低外延基座的应力形变和重力形变，在提高外延基座的机械强度的同时降低外延基座的厚度。延基座的厚度。延基座的厚度。
技术研发人员：曹共柏 潘帅
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2021.04.07
技术公布日：2022/10/10