1.一种高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，所述高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法包括以下步骤：
提供非晶带材；
对非晶带材进行加热处理，使其晶化；
在晶化处理后的非晶带材表面包覆绝缘层；
将包覆绝缘层后的非晶带材进行卷绕，得到高效节能非晶纳米晶磁芯。
2.如权利要求1所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，对非晶带材进行加热处理，使其晶化的步骤中，包括：
将非晶带材于400℃-580℃的温度下进行加热处理，使其晶化。
3.如权利要求1所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，对非晶带材进行加热处理，使其晶化的步骤中，包括：
采用电阻加热、电流加热、感应加热、激光加热及红外加热中的至少一种加热方式对非晶带材进行加热处理，使其晶化。
4.如权利要求3所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，采用感应加热的加热方式对非晶带材进行加热处理时，感应加热的频率范围为10khz至100khz。
5.如权利要求3所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，采用感应加热的加热方式对非晶带材进行加热处理时，感应加热采用的加热线圈呈螺旋形，非晶带材穿设于所述加热线圈中，非晶带材在加热线圈的加热下进行晶化；
和/或，采用感应加热的加热方式对非晶带材进行加热处理时，感应加热采用的加热线圈由平板形线圈拼接而成，加热线圈中插设有导磁条，非晶带材穿设于所述加热线圈中，非晶带材在加热线圈的加热下进行晶化。
6.如权利要求1至5中任一项所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化铝或二氧化硅中的至少一种；
和/或，所述绝缘层的厚度范围为1μm-15μm。
7.如权利要求6所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化铝时，在晶化处理后的非晶带材表面包覆绝缘层的步骤中，包括：
在晶化处理后的非晶带材表面包覆一层铝层，并将所述铝层进行氧化，得到氧化铝绝缘层。
8.如权利要求7所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，在晶化处理后的非晶带材表面包覆一层铝层的步骤中，包括：
将铝进行蒸发，得到铝原子蒸气；
将所述铝原子蒸气沉积在晶化处理后的非晶带材表面，冷却后得到铝层。
9.如权利要求6所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为二氧化硅时，在晶化处理后的非晶带材表面包覆绝缘层的步骤中，包括：
将四甲基硅烷与甲醇反应，得到液态二氧化硅；
将液态二氧化硅进行蒸发，得到气态二氧化硅；
将所述气态二氧化硅沉积在晶化处理后的非晶带材表面，冷却后得到二氧化硅绝缘层。
10.一种高效节能非晶纳米晶磁芯，其特征在于，所述高效节能非晶纳米晶磁芯采用如权利要求1至9中任一项所述的高效节能非晶纳米晶磁芯的制作方法制作得到。