技术特征：
1.ce:yag与yag混晶al2o3基复合荧光陶瓷材料，其特征在于，复合荧光陶瓷材料具有ce
x
:y
3-x
al5o
12
微晶粒、y3al5o
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微晶粒及al2o3基质，ce
x
:y
3-x
al5o
12
微晶粒及y3al5o
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微晶粒均匀地布置于al2o3基质内部，其中，x的取值范围为：0＜x≤0.15；ce
x
:y
3-x
al5o
12
微晶粒在al2o3基质中的质量分数y的取值范围为：0＜y≤100%，y3al5o
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微晶粒在al2o3基质中的质量分数z的取值范围为：0≤z≤100%。2.ce:yag与yag混晶al2o3基复合荧光陶瓷材料的制备方法，用于制备权利要求1所述的复合荧光陶瓷材料，其特征在于，包含有以下步骤，步骤s1，选定x，制备ce
x
:y
3-x
al5o
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微晶粒及y3al5o
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微晶粒的粉体；步骤s2，选定y、z，称取ce
x
:y
3-x
al5o
12
微晶粒、y3al5o
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微晶粒及al2o3基质的粉体，三者均匀混合后压成坯体；以及，步骤s3，烧结坯体，得到复合荧光陶瓷材料。3.根据权利要求2所述的ce:yag与yag混晶al2o3基复合荧光陶瓷材料制备方法，其特征在于，步骤s1中的ce
x
:y
3-x
al5o
12
微晶粒的粉体是按照ce
x
:y
3-x
al5o
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的化学计量比将原料y2o3、al2o3及ceo2经过球磨混合均匀后放入马弗炉1450-1600℃烧结1-20h后得到。4.根据权利要求2所述的ce:yag与yag混晶al2o3基复合荧光陶瓷材料制备方法，其特征在于，步骤s1中的y3al5o
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微晶粒的粉体是按照y3al5o
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化学计量比将原料y2o3、al2o3经过球磨混合均匀后放入马弗炉1450-1650℃烧结1-20h后得到。5.根据权利要求2所述的ce:yag与yag混晶al2o3基复合荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤s2中的坯体是通过干压加冷等静压的方法压制成型。6.根据权利要求2所述的ce:yag与yag混晶al2o3基复合荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤s3中的烧结方式是将坯体放入真空烧结炉，抽真空至10-3
pa以下，加热至1300-1600℃，保温3-10h。
技术总结
本发明公开Ce:YAG与YAG混晶Al2O3基复合荧光陶瓷材料及制备方法。复合荧光陶瓷材料具有Ce
技术研发人员：张攀德 王红 叶勇 李东升 曾庆兵 王盛
受保护的技术使用者：上海航空电器有限公司
技术研发日：2021.04.21
技术公布日：2022/10/20