1.一种负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构的制备方法，其特征在于：采用高温等离子体电弧蒸发技术制备，高纯石墨棒作为阴极，高纯ni粉、高纯fe粉和高纯石墨粉混合块体作为阳极，待电弧炉抽真空后，充入乙腈或乙腈和n2，在等离子体电弧放电结束后，收集反应腔体内壁沉积物即得。
2.按照权利要求1所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构的制备方法，其特征在于：阴极与阳极靶材之间保持1-5mm的距离；电弧炉真空度高于5×10-3pa；电弧放电的电流为60-400a，电压为17-100v；电弧保持时间为5-120min，乙腈充入量为5-60ml。
3.按照权利要求1所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构的制备方法，其特征在于：乙腈充入量为20ml。
4.按照权利要求1所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构的制备方法，其特征在于：所述阴极为φ6mm～φ10mm的棒体结构，且阴极石墨棒靠近阳极一端为锥形，锥形角度20-70度；所述阳极为φ8mm～φ20mm的棒体结构。
5.按照权利要求1所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构的制备方法，其特征在于：所述高纯石墨棒或高纯石墨粉的纯度为大于等于99.9wt％，高纯fe粉的纯度为大于等于99.9wt％，高纯ni粉的纯度为大于等于99.9wt％。
6.按照权利要求1所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构的制备方法，其特征在于：所述阳极靶材为高纯fe粉、高纯ni粉和高纯石墨粉混合块体，三者含量为：高纯fe粉0.2at.％～10at.％，高纯ni粉0.2at.％～10at.％，高纯石墨粉80at.％～99.6at.％；其中，fe与ni的原子比例在1:4-3:7之间。
7.采用权利要求1-6任一方法制备得到的负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构，其特征在于，其结构特征为：ni3fe@c纳米胶囊均匀分散在具有二维片层特征且其内部具有n原子掺杂缺陷的石墨片层结构上。
8.按照权利要求7所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构，其特征在于：所得产品中氮掺杂原子的百分含量为1.0at.％-10at.％。
9.一种权利要求7所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构作为-168℃～室温下2-18ghz之间频段的吸波材料的应用。
10.按照权利要求9所述应用，其特征在于：所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构作为-168℃～室温下12-18ghz之间频段的吸波材料。
11.一种权利要求7所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构作为-168℃～室温下浸泡在中性盐溶液、酸性盐溶液或碱性盐溶液作为吸波材料的应用。
12.按照权利要求11所述应用，其特征在于：所述负载了ni3fe@c纳米胶囊且具有n掺杂缺陷的多层石墨片层结构在中性盐溶液5wt.％nacl中阻抗为389kω·cm2。