技术特征：
1.一种低密度氟化铝干燥工艺，其特征在于：包括以下步骤：s1氟化铝的生产：氢氧化铝和氟硅酸在浸出槽内进行浸出反应，得到氟化铝溶液和硅胶的混合料浆，然后将氟化铝和硅胶的混合料浆通过带式过滤机进行分离，得到氟化铝过饱和溶液，氟化铝过饱和溶液进入结晶槽，通过加热、搅拌生成alf3·
3h2o结晶析出；s2打散：结晶后的固液混合物放翻盘过滤机上，在真空泵抽负压作用下，将氟化铝结晶与母液分离得到氟化铝结晶物，母液流入沉降池沉降，上清液用来处理废气，氟化铝结晶物保留，氟化铝结晶物打散，打散采用的打散装置；s3干燥：打散后的氟化铝结晶物进行干燥，干燥时采用的是干燥装置，干燥使得氟化铝结晶物全部附着水和部分结晶水脱除，干燥后再经冷却后即得到产品。2.根据权利要求1所述的一种低密度氟化铝干燥工艺，其特征在于：所述打散装置包括打散箱（29）；打散箱（29）连接输入通道（30），输入通道（30）内设置有倾斜的振动板（31），振动板（31）与第三电机（32）连接；输入通道（30）顶部活动连接有挡板（33），挡板（33）与液压杆（34）连接，液压杆（34）与液压泵（35）连接，液压泵（35）与控制器（36）连接；输入通道（30）顶部连接有料仓（37），料仓（37）顶部连接有仓盖（38）；所述打散箱（29）内设置有第二过滤网板（39），第二过滤网板（39）上开有转轴孔，打散箱（29）内设置有转轴（40），转轴（40）与第四电机（41）连接，转轴（40）穿过第二过滤网板（39）的转轴孔延伸设置，转轴（40）上设置有搅拌叶（42）；所述打散箱（29）内设置有锥形网板（43），锥形网板（43）下部开有输出孔，打散箱（29）上设置有连接杆（44），连接杆（44）连接有分散斗（45）。3.根据权利要求2所述的一种低密度氟化铝干燥工艺，其特征在于：所述转轴（40）下部连接有v型刮板（46）；第二过滤网板（39）的个数大于等于两个，打散箱（29）内由上至下的第二过滤网板（39）、锥形网板（43）的网孔逐渐减小；打散箱（29）下部连接有排出管（47），排出管（47）上设置有控制阀（48）。4.根据权利要求1所述的一种低密度氟化铝干燥工艺，其特征在于：所述干燥装置包括：一级干燥主体（1）一端连接有进入通道（2），一级干燥主体（1）另一端连接有第一连接通道（3），第一连接通道（3）连接有二级干燥主体（4），二级干燥主体（4）连接有第二连接通道（5），第二连接通道（5）连接有冷却主体（6），冷却主体（6）连接有输出通道（7）；一级干燥主体（1）、第一连接通道（3）、二级干燥主体（4）、第二连接通道（5）、冷却主体（6）、输出通道（7）均倾斜设置；一级干燥主体（1）、二级干燥主体（4）的侧壁均设置为空腔结构，一级干燥主体（1）空腔结构、二级干燥主体（4）空腔结构均下部均设置有出气环管（8），出气环管（8）上均匀开有出气口，二级干燥主体（4）连接有进气管（9），一级干燥主体（1）空腔结构内的出气环管（8）与二级干燥主体（4）的空腔结构通过中间管（10）连接；所述一级干燥主体（1）空腔结构上部连接有出气管（11），出气管（11）连接有支管（12），支管（12）设置在进入通道（2）下部，支管（12）一端连接有排出管（13）。5.根据权利要求4所述的一种低密度氟化铝干燥工艺，其特征在于：所述所述一级干燥
主体（1）、二级干燥主体（4）、冷却主体（6）内均设置有振动网板（14），振动网板（14）与第一电机（15）连接；所述第一连接通道（3）、第二连接通道（5）中间处的剖面设置为圆形，第一连接通道（3）、第二连接通道（5）中间处的设置有第一过滤网板（16），第一连接通道（3）、第二连接通道（5）中间处内壁上设置有滑轨（17），滑轨（17）上设置有带动轴（18），带动轴（18）与第二电机（19）连接，带动轴（18）与刮板（20）连接。6.根据权利要求7所述的一种低密度氟化铝干燥工艺，其特征在于：所述冷却主体（6）侧壁设置为空腔结构，冷却主体（6）空腔结构连接有进水管（21）、出水管（22），进水管（21）、出水管（22）均与水箱（28）连接，进水管（21）、出水管（22）上设置有水泵（23），进水管（21）上设置有冷凝器（24）；所述一级干燥主体（1）、二级干燥主体（4）、冷却主体（6）内侧壁上设置有吸气管（25），吸气管（25）上均匀开有吸气口，吸气管（25）的吸气口处设置有滤布，吸气管（25）连接有输出管（26），输出管（26）一端与排出管（13）连接；所述进气管（9）、中间管（10）、输出管（26）上设置有气泵（27）。
技术总结
本发明公开了一种低密度氟化铝干燥工艺，氢氧化铝和氟硅酸在浸出槽内进行浸出反应，得到氟化铝溶液和硅胶的混合料浆，然后将氟化铝和硅胶的混合料浆通过带式过滤机进行分离，得到氟化铝过饱和溶液，氟化铝过饱和溶液进入结晶槽，通过加热、搅拌生成ALF3·
技术研发人员：余科 张江伟 段友春 田波
受保护的技术使用者：云南云天化氟化学有限公司
技术研发日：2021.12.10
技术公布日：2022/3/8