一种反应室及CVD沉积石墨烯的规模化制备设备的制作方法

技术特征：
1.一种反应室，其特征在于，所述反应室为底部具有开口的腔体，且反应室两个相对设置的侧板上设置有凹槽结构，所述凹槽结构罩设在传送带组件的上部；在竖直方向上，反应室下端和传送带组件之间存在间距，该间距为0.4
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0.6mm；所述反应室顶板内侧通过绝缘结构吊设有放电芒线，放电芒线与负极连接；所述反应室上设置有三个进气口，三个进气口分别为碳源性气体进气口，氩气进气口和氢气进气口；所述反应室内设置有热电偶。2.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述反应室设置在制备腔室内，所述反应室顶板外侧与制备腔室之间存在保温间距，所述反应室顶板和侧板外侧包裹有保温材料。3.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述反应室的顶板外侧通过绝缘结构吊设在制备腔室内。4.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述放电芒线包括顶部框架，主吊杆、次吊杆和芒刺；所述顶部框架的边角均设置有向下延伸的主吊杆，在顶部框架的侧边上设置有多个向下延伸的次吊杆；所述主吊杆和次吊杆上均设置有多个均匀分布的芒刺。5.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述反应室的顶部设置有接线柱，所述接线柱与放电芒线连接。6.根据权利要求1所述的反应室，其特征在于，所述反应室的下部设置加热元件支架，所述加热元件支架上设置有加热元件；在竖直方向上，所述加热元件支架和加热元件延伸至反应室的开口处；传送带组件的上层传送带和下层传送带分别位于加热元件的上侧和下侧。7.一种cvd沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，包括如权利要求1
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6任意一项所述的反应室。8.根据权利要求7所述的cvd沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，制备设备还包括制备腔室、冷却室、液体气密池和传送带组件；所述制备腔室为密闭腔室，所述制备腔室包括主腔室和副腔室，所述主腔室的出口端和副腔室的进口端连通，所述制备腔室的部分底面向下凹陷形成液体气密池，且主腔室出口端和副腔室的进口端均位于液体气密池的液位以下；所述传送带组件布置在制备腔室内，经过液体气密池后经副腔室出口端延伸至制备腔室的外侧；沿传送带组件的输送方向，反应室和冷却室依次布置在制备腔室内，且反应室和冷却室的开口端均朝向传送带组件设置。

技术总结
本实用新型涉及石墨烯制取设备技术领域，尤其是涉及一种反应室及CVD沉积石墨烯的规模化制备设备。反应室为底部具有开口的腔体，且反应室两个相对设置的侧板上设置有凹槽结构，所述凹槽结构罩设在传送带组件的上部。通过在反应室相对设置的侧板上设置凹槽结构，可以使反应室骑跨在传送带组件上。这样能够减少传送带组件与反应室之间的间隙。这样可以减少反应室内热量的散失，并且配合传送带组件带动基底的移动，反应室能够基底上规模化的沉积石墨烯。烯。烯。


技术研发人员：孙华
受保护的技术使用者：孙华
技术研发日：2021.01.28
技术公布日：2021/12/21